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1. (WO2007094961) WATER VAPOR PASSIVATION OF A WALL FACING A PLASMA
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/094961    International Application No.:    PCT/US2007/002546
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 30.01.2007
IPC:
C23C 14/00 (2006.01), C25B 9/00 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US).
FU, Xinyu [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: FU, Xinyu; (US)
Agent: GUENZER, Charles, S.; Law Offices Of Charles Guenzer, 2211 Park Boulevard, P.o.box 60729, Palo Alto, CA 94306 (US)
Priority Data:
11/351,676 10.02.2006 US
Title (EN) WATER VAPOR PASSIVATION OF A WALL FACING A PLASMA
(FR) PASSIVATION A LA VAPEUR D'EAU D'UNE PAROI EXPOSEE A UN PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A chamber passivation method particularly useful for hydrogen plasma cleaning of low-k dielectrics prior to coating a barrier layer into a via hole with hydrogen radicals are provided from a remote plasma source (60). For each wafer, the chamber is passivated with water vapor (86) (or other gas even more chemabsorbed on plasma facing walls) passed through the remote plasma source prior to the ignition of the hydrogen plasma. The water vapor is absorbed on walls (78, 79), such as alumina and quartz parts of the remote plasma source, and forms a protective mono-layer that endures sufficiently long to protect the walls during the generation of the hydrogen plasma. Thereby, the plasma facing walls, particularly of a dielectric such as alumina, are protected from etching.
(FR)L'invention concerne un procédé de passivation de chambre particulièrement utile pour le nettoyage par plasma d'hydrogène de diélectriques à constante diélectrique faible avant le dépôt d'une couche barrière dans un trou d'interconnexion, des radicaux hydrogène étant émis à partir d'une source (60) de plasma distante. Pour chaque tranche, la chambre est passivée à l'aide de vapeur d'eau (86) (ou d'un autre gaz encore plus apte à être chimisorbé sur des parois exposées à un plasma) envoyée à travers la source de plasma distante avant l'amorçage du plasma d'hydrogène. La vapeur d'eau est absorbée sur des parois (78, 79), comme des parties en alumine et en quartz de la source de plasma distante, et forme une monocouche protectrice suffisamment durable pour protéger les parois pendant la génération du plasma d'hydrogène. Ainsi, les parois exposées au plasma, en particulier celles constituées d'un diélectrique comme l'alumine, sont protégées d'une attaque chimique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)