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1. (WO2007094516) GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/094516    International Application No.:    PCT/JP2007/053331
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 16.02.2007
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (For All Designated States Except US).
OSAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HODOTA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSAWA, Hiroshi; (JP).
HODOTA, Takashi; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2006-039282 16.02.2006 JP
60/778,366 03.03.2006 US
2006-111833 14.04.2006 JP
Title (EN) GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À BASE DE GaN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A GaN-based semiconductor light-emitting device 1 includes a stacked body 1OA having the component layers 12 that include an n-type semiconductor layer, a light- emitting layer and a p-type semiconductor layer each formed of a GaN-based semiconductor, sequentially stacked and provided as an uppermost layer with a first bonding layer 14 made of metal and a second bonding layer 33 formed on an electroconductive substrate 31, adapted to have bonded to the first bonding layer 14 the surface thereof lying opposite the side on which the electroconductive substrate 31 is formed, made of a metal of the same crystal structure as the first bonding layer 14, and allowed to exhibit an identical crystal orientation in the perpendicular direction of the bonding surface and the in-plane direction of the bonding surface.
(FR)Le dispositif semi-conducteur 1 émetteur de lumière à base de GaN selon l'invention comprend un corps empilé 10A comportant des couches 12 de composants qui comprennent une couche semi-conductrice de type n, une couche émettrice de lumière et une couche semi-conductrice de type p constituées chacune d'un semi-conducteur à base de GaN, empilées séquentiellement et comportant comme couche supérieure une première couche de connexion 14 constituée de métal et une seconde couche de connexion 33 disposée sur un substrat électroconducteur 31, conçue pour que la première couche de connexion 14 soit connectée à sa surface opposée du côté sur lequel le substrat électroconducteur 31 est disposé, constituée d'un métal de même structure cristalline que la première couche de connexion 14 et capable de présenter une orientation cristalline identique dans la direction perpendiculaire de la surface de connexion et dans la direction dans le plan de la surface de connexion.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)