WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007094476) LIGHT-EMITTING DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/094476    International Application No.:    PCT/JP2007/052896
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 09.02.2007
IPC:
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Applicants: SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shiba Daimon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-8518 (JP) (For All Designated States Except US).
MASUYA, Kyousuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MASUYA, Kyousuke; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg., 6-13, Nishishinbashi-1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2006-036169 14.02.2006 JP
60/775,359 22.02.2006 US
Title (EN) LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE
Abstract: front page image
(EN)A light-emitting diode (10) has a main light-extracting surface and includes a compound semiconductor layer (13) including semiconductor layers (130 to 135), a light- emitting part (12) contained in the compound semiconductor layer, a light-emitting layer (133) contained in the light-emitting part, a transparent substrate (14) joined to the compound semiconductor layer, and first and second electrodes (15, 16) of opposite polarities formed on the main light-extracting surface on the side opposite the transparent substrate. The second electrode is formed at a position on the portion of the compound semiconductor layer exposed by removing the semiconductor layers (132 to 134) and has the periphery thereof enclosed with the semiconductor layers. The main light-extracting surface has an external shape having the largest width of 0.8 mm or more.
(FR)Cette invention concerne une diode électroluminescente (10) ayant une surface d'extraction lumineuse principale et comprenant une couche de composé semi-conducteur (13) formée de couches semi-conductrices (130 à 135), un élément électroluminescent (12) contenu dans la couche de composé semi-conducteur, une couche électroluminescente (133) contenue dans l'élément électroluminescent, un substrat transparent (14) joint à la couche de composé semi-conducteur, et une première et une seconde électrode (15, 16) de polarités inverses formées sur la surface d'extraction lumineuse principale sur le côté opposé au substrat transparent. La seconde électrode est formée à une position sur la partie de la couche de composé semi-conducteur découverte par enlèvement des couches semi-conductrices (132 à 134) et sa périphérie est entourée par ces couches. La surface d'extraction lumineuse principale présente une forme externe ayant une largeur maximale égale ou supérieure à 0,8 mm.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)