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1. (WO2007094164) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/094164    International Application No.:    PCT/JP2007/051444
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 30.01.2007
IPC:
H01L 29/80 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
TOGUCHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ENDOH, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TOGUCHI, Satoru; (JP).
ENDOH, Hiroyuki; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Teruo; 8th Floor, 16th Kowa Bldg. 9-20, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2006-036475 14.02.2006 JP
Title (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) transistor à film mince organique et son procédé de fabrication
(JA) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The SIT type organic thin film transistor element which can be fabricated at a low temperature is expected to be an organic transistor using an organic semiconductor and capable of performing high-speed drive. However, it has a problem that it is difficult to form a micro channel structure required to reduce OFF current and obtain a sufficiently stable ON/OFF ratio. The present invention provides a SIT type organic thin film transistor in which gate electrodes are formed as a conductive layer where a plenty of wire-shaped conductive materials are arranged in such a manner that the distance to the nearest wire is 100 nm or below at any point in the space between the wires or a semiconductor portion (B) between the gate electrodes has a rectangular cross section formed by shorter sides in the range of 20 nm to 200 nm and longer sides not smaller than 2 μm. This provides an organic thin film transistor which can be fabricated easily at a low temperature, at a low cost, and with high-speed drive ability, a high ON/OFF ratio, and a high controllability.
(FR)La présente invention a pour objet un élément transistor à film mince organique de type SIT que l'on peut fabriquer à basse température. On s'attend à ce que cet élément transistor soit un transistor organique employant un semi-conducteur organique et à ce qu'il soit capable de réaliser un entraînement à grande vitesse. Toutefois, le problème réside dans le fait qu'il est difficile de produire une structure à microcanal requise pour réduire le courant d'ARRET et obtenir un rapport marche/arrêt suffisamment stable. La présente invention concerne un transistor à film mince organique de type SIT dans lequel des électrodes de grille sont formées comme couche conductrice dans laquelle un grand nombre de matériaux conducteurs filaires sont aménagés de telle sorte que la distance par rapport au fil le plus proche est inférieure ou égale à 100 nm en tout point dans l'espace entre les fils ou une partie semi-conductrice (B) entre les électrodes de grille possède une section transversale rectangulaire formée par des petits côtés dans la fourchette allant de 20 nm à 200 nm et des grands côtés supérieurs ou égaux à 2 µm. On obtient alors un transistor à film mince organique que l'on peut fabriquer facilement à basse température, à faible coût, et qui présente une capacité d'entraînement à grande vitesse, un rapport marche/arrêt élevé, et une maniabilité élevée.
(JA) 低温で製造可能なSIT型有機薄膜トランジスタ素子は有機半導体を用いた高速駆動可能な有機トランジスタとして期待されているが、off電流を低減し十分かつ安定なon/off比を得るために必要な微小チャネル構造を形成するのが困難であるという問題点があった。  本発明のSIT型有機薄膜トランジスタにおいてはゲート電極がワイヤー状の導電性材料が多数配置されてなる導電性層として形成され、ワイヤー間の空隙中のいずれの点においても最近接のワイヤーまでの距離が100nm以下である、あるいはゲート電極間の半導体部(B)の長方形断面が短辺20nm以上200nm以下、長辺2μm以上の大きさを有する。これにより低温でかつ簡便、低コストに高速駆動性、高on/off比、高制御性を同時に有する有機薄膜トランジスタを得ることができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)