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1. (WO2007093931) INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/093931    International Application No.:    PCT/IB2007/050358
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 02.02.2007
IPC:
H01L 23/52 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
NGUYEN HOANG, Viet [NL/BE]; (GB) (For US Only)
Inventors: NGUYEN HOANG, Viet; (GB)
Agent: WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Priority Data:
06101594.7 13.02.2006 EP
Title (EN) INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to an interconnect structure and method of its manufacture. Interconnects (38) extend longitudinally, and bars (30) of conventional dielectric extend across the interconnects (38). The remainder of the space between the interconnects (38) is of low-k material. The use of bars (30) provides strength and support for the structure and overlying layers, allowing the use of weak low-k material. In a method of manufacture, the bars (30) are formed first, the regions (34) of low-k material formed between the bars, and then the interconnects (39) formed in trenches etched through the bars (30) and regions (34) of low-k material.
(FR)L'invention concerne une structure d'interconnexion et son procédé de fabrication. Des interconnexions (38) s'étendent longitudinalement, et des barres (30) de diélectrique conventionnel s'étendent à travers les interconnexions (38). Le reste de l'espace entre les interconnexions (38) est constitué d'un matériau à faible k. L'utilisation des barres (30) confère de la résistance et un support à la structure et des couches sus-jacentes, permettant l'utilisation de matériaux à faible k. Dans un procédé de fabrication, les barres (30) sont réalisées en premier, les zones (34) de matériau à faible k sont disposées entre les barres, et les interconnexions (39) sont ensuite ajoutées dans des tranchées gravées à travers les barres (30) et les zones (34) de matériau à faible k.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)