WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007093930) DOUBLE-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATES WITH DIFFERENT WORK FUNCTIONS AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/093930    International Application No.:    PCT/IB2007/050357
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 02.02.2007
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Applicants: NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
VAN DAL, Mark [NL/BE]; (GB) (For US Only).
SURDEANU, Radu [RO/BE]; (GB) (For US Only)
Inventors: VAN DAL, Mark; (GB).
SURDEANU, Radu; (GB)
Agent: WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Priority Data:
06101603.6 13.02.2006 EP
Title (EN) DOUBLE-GATE SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING GATES WITH DIFFERENT WORK FUNCTIONS AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS À DOUBLE GÂCHETTE DONT LES GÂCHETTES PRÉSENTENT DIFFÉRENTES FONCTIONS ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A double-gate FinFET and methods for its manufacture are provided. The FinFET includes first and second gates (72, 74) adjacent respective sides of the fin (20), with at least a portion of the first gate facing the fin being formed of polycrystalline silicon, and at least a portion of the second gate facing the fin being formed of a metal suicide compound. The different compositions of the two gates provide different respective work functions to reduce short channel effects.
(FR)La présente invention concerne un FinFET à double gâchette et ses procédés de fabrication. Le FinFET comprend une première et une seconde gâchettes (72, 74) adjacentes aux côtés respectifs de l'ailette (20), au moins une partie de la première gâchette faisant face à l'ailette étant constituée de silicium polycristallin, et au moins une partie de la seconde gâchette faisant face à l'ailette étant constituée d'un composé de siliciure métallique. Les compositions différentes des deux gâchettes permettent de leur attribuer des fonctions respectives différentes pour réduire les effets de canal court.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)