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1. (WO2007093082) A PROCESS OF PRODUCING SILICON WAFER EMPLOYING FLOAT METHOD AND APPARATUS THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/093082    International Application No.:    PCT/CN2006/000229
Publication Date: 23.08.2007 International Filing Date: 16.02.2006
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 35/00 (2006.01)
Applicants: JIN, Yonggang [SG/CN]; (CN)
Inventors: JIN, Yonggang; (CN)
Agent: SHANXI TAIYUAN KEWEI PATENT OFFICE; N0. 366 Yingze Street Taiyuan Shanxi 030001 (CN)
Priority Data:
Title (EN) A PROCESS OF PRODUCING SILICON WAFER EMPLOYING FLOAT METHOD AND APPARATUS THEREOF
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM UTILISANT LA MÉTHODE DU FLOTTAGE ET APPAREIL CORRESPONDANT
(ZH) 浮法硅晶片的制作工艺和设备
Abstract: front page image
(EN)The invention provides a process of float method producing silicon wafers, which employs the successive process of melting, crystallizing for molding, burnishing and cutting. The process comprises: adding silicon raw material into a crucible (2) through a feeding unit (1), the temperature in the crucible being set above silicon melting point-1421, the solid silicon raw material being melt to liquid silicon above the temperature of 1421 ; argon gas or the other inert gases being discharged continuously via a feeding inlet over the liquid silicon ; a crystallization region slot (4) communicating with a crucible drain mouth (3),the slot filled with liquid tin metal or other alloys as carrier whose melting point are lower than that of silicon; the temperature near the discharge port being higher than the silicon melting point-1421, the temperature of the other end being between 1421 and 400 ; when liquid silicon moving to the end of float method molding region, liquid silicon would solidify to solid state; a buffer (5)being set at top of crystallization region adjacent the crucible drain mouth (3) to regulate the silicon wafer thickness ; after the molding crystallized silicon wafer being subjected to cooling part (6), burnishing and polishing part (7), cutting the wafer at the wafer cutting region (8) as required. It is suitable for float method producing solar cell and semiconductor silicon wafer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de la méthode du flottage de production de tranches de silicium, comprenant des processus successifs de fusion, de cristallisation pour moulage, de brunissage et de découpe. Le procédé comprend: l'ajout d'une matière première de silicium dans un creuset (2) via une unité d'alimentation (1), la température dans le creuset étant établie au-dessus de la température de fusion de silicium de 1421, la matière première de silicium étant fondue en du silicium liquide au-dessus de la température de 1421; la décharge en continu de gaz argon et d'autres gaz inertes via un orifice d'alimentation sur le silicium liquide; une fente de zone de cristallisation (4) étant en communication avec une ouverture d'évacuation du creuset (3), la fente étant remplie d'un métal à base d'étain liquide ou d'autres alliages comme support dont les températures de fusion sont inférieures à celle du silicium; la température à proximité de l'orifice d'évacuation étant supérieure à la température de fusion de silicium de 1421, la température de l'autre extrémité étant comprise entre 1421 et 400. Lorsque le silicium liquide se déplace vers l'extrémité de la zone de moulage du processus de flottage, le silicium liquide va se solidifier vers l'état solide; un tampon (5) est installé en haut de la zone de cristallisation adjacent à l'ouverture d'évacuation du creuset (3) pour contrôler l'épaisseur des tranches de silicium; après le moulage, la tranche de silicium cristallisée est soumise à une section de refroidissement (6), une section de brunissage et de polissage (7); la découpe appropriée de la tranche est effectuée au niveau de la section de découpe (8). Le procédé de flottage convient à la production de piles solaires et de tranches de silicium semi-conductrices.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)