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1. (WO2007092770) FABRICATION DE DISPOSITIFS ELECTRIQUES PAR FAÇONNAGE DE NANOTUBES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/092770    International Application No.:    PCT/US2007/061542
Publication Date: 16.08.2007 International Filing Date: 02.02.2007
IPC:
H01L 51/10 (2006.01)
Applicants: WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY [US/US]; 6100 Main Street, Houston, TX 77005 (US) (For All Designated States Except US).
NICHOLAS, Nolan Walker [US/US]; (US) (For US Only).
KITTRELL, W. Carter [US/US]; (US) (For US Only).
KIM, Myung Jong [KR/US]; (US) (For US Only).
SCHMIDT, Howard K. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: NICHOLAS, Nolan Walker; (US).
KITTRELL, W. Carter; (US).
KIM, Myung Jong; (US).
SCHMIDT, Howard K.; (US)
Agent: SHADDOX, Robert C.; Winstead Sechrest & Minick P.c., P.O. Box 50784, Dallas, TX 75201 (US)
Priority Data:
60/764,703 02.02.2006 US
60/794,279 21.04.2006 US
Title (EN) FABRICATION DE DISPOSITIFS ELECTRIQUES PAR FAÇONNAGE DE NANOTUBES
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES PAR FAÇONNAGE DE NANOTUBES
Abstract: front page image
(EN)A method for forming nanotube electrical devices, arrays of nanotube electrical devices, and device structures and arrays of device structures formed by the methods. Various methods of the present invention allow creation of semiconducting and/or conducting devices from readily grown SWNT carpets rather than requiring the preparation of a patterned growth channel and takes advantage of the self-controlling nature of these carpet heights to ensure a known and controlled channel length for reliable electronic properties as compared to the prior methods.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs électriques en nanotube, de réseaux de dispositifs électriques en nanotube, de structures de dispositifs et de réseaux de structures de dispositifs réalisés par les procédés de l'invention. Divers procédés de l'invention permettent de créer des dispositifs semiconducteurs ou conducteurs à partir de matrices SWNT facilement formées par tirage, sans nécessité de préparer un canal de tirage à motif. Ces procédés permettent également de tirer parti de la nature autorégulée des hauteurs de ces matrices pour assurer une longueur de canal connue et régulée présentant des propriétés électroniques fiables par comparaison aux procédés utilisés dans la technique antérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)