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1. (WO2007092716) LASER-BASED METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING A MULTI-MATERIAL DEVICE HAVING CONDUCTIVE LINKS STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/092716    International Application No.:    PCT/US2007/061365
Publication Date: 16.08.2007 International Filing Date: 31.01.2007
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: GSI GROUP CORPORATION [US/US]; 39 Manning Road, Billerica, MA 01821 (US) (For All Designated States Except US).
LEE, Joohan [KR/US]; (US) (For US Only).
CORDINGLEY, James, J. [US/US]; (US) (For US Only).
GU, Bo [US/US]; (US) (For US Only).
EHRMANN, Jonathan, S. [US/US]; (US) (For US Only).
GRIFFITHS, Joseph, J. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LEE, Joohan; (US).
CORDINGLEY, James, J.; (US).
GU, Bo; (US).
EHRMANN, Jonathan, S.; (US).
GRIFFITHS, Joseph, J.; (US)
Agent: SYROWIK, David, R.; Brooks Kushman, 1000 Town Center, Twenty-second Floor, Southfield, MI 48075 (US)
Priority Data:
60/765,291 03.02.2006 US
11/441,763 26.05.2006 US
11/699,297 29.01.2007 US
Title (EN) LASER-BASED METHOD AND SYSTEM FOR PROCESSING A MULTI-MATERIAL DEVICE HAVING CONDUCTIVE LINKS STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME LASER POUR TRAITER UN DISPOSITIF MULTIMATÉRIAU À STRUCTURES DE LIAISONS CONDUCTRICES
Abstract: front page image
(EN)
(FR)L'invention concerne un procédé et un système laser pour traiter sélectivement un dispositif multimatériau comprenant une structure de liaison cible formée sur un substrat tout en évitant de modifier de manière indésirable une structure de liaison adjacente également formée sur le substrat. Le procédé consiste à appliquer au moins une impulsion laser focalisée présentant une longueur d'onde dans un point. L'impulsion laser focalisée possède une densité énergétique sur le point suffisante pour traiter complètement la structure de liaison cible tout en évitant de modifier de manière indésirable la structure de liaison adjacente, le substrat et toute couche disposée entre ledit substrat et les structures de liaison. La structure de liaison cible et la structure de liaison adjacente peuvent présenter un pas d'environ 2,0 microns ou moins.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)