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1. (WO2007091784) METHODS AND APPARATUSES FOR HIGH PRESSURE GAS ANNEALING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/091784    International Application No.:    PCT/KR2007/000232
Publication Date: 16.08.2007 International Filing Date: 12.01.2007
IPC:
H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: POONGSAN MICROTEC CO., LTD. [KR/KR]; 52, Banyeo-1Dong, Haeundae-Ku, Busan 612-809 (KR) (For All Designated States Except US)
Inventors: HONG, Suk-Dong; (KR).
KIM, Sang-Shin; (US).
RIVERA, Manuel, Scott; (US)
Agent: LEE, Joong-Seop; Lawin Tower 301, 1497-1, Geoje-1Dong, Yeonje-Gu, Busan 611-071 (KR)
Priority Data:
11/351,816 10.02.2006 US
Title (EN) METHODS AND APPARATUSES FOR HIGH PRESSURE GAS ANNEALING
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR METTRE EN OEUVRE UN RECUIT SOUS HAUTE PRESSION GAZEUSE
Abstract: front page image
(EN)Novel methods and apparatuses for annealing semiconductor devices in a high pressure gas environment. According to an embodiment, the annealing vessel has a dual chamber structure, and potentially toxic, flammable, or otherwise reactive gas is confined in an inner chamber which is protected by pressures of inert gas contained in the outer chamber. The incoming gas delivery system and exhaust gas venting system are likewise protected by various methods. Embodiments of the present invention can be used, for example, for high-K gate dielectric anneal, post metallization sintering anneal, and forming gas anneal in the semiconductor manufacturing process.
(FR)L'invention concerne de nouveaux procédés et dispositifs pour recuire des dispositifs semi-conducteurs dans un environnement gazeux sous haute pression. Dans une forme de réalisation, la cuve de recuit présente une structure de chambre double, un gaz potentiellement toxique et inflammable ou un autre gaz réactif étant confiné dans une chambre intérieure qui est protégée par les pressions produites par un gaz inerte contenu dans la chambre extérieure. Les systèmes d'apport de gaz entrant et d'évacuation de gaz d'échappement sont protégés de façon analogue par divers procédés. Les modes et formes de réalisation de l'invention peuvent être utilisés, par exemple, pour mettre en oeuvre un recuit de diélectrique de grille à valeur K élevée, un recuit de frittage post-métallisation et un recuit à mélange gazeux d'azote et d'hydrogène dans un procédé de fabrication de semi-conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)