WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007091583) SEMICONDUCTOR PRODUCTION PLANT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/091583    International Application No.:    PCT/JP2007/052087
Publication Date: 16.08.2007 International Filing Date: 07.02.2007
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), B01J 4/00 (2006.01), C25B 1/24 (2006.01), C25B 15/00 (2006.01), F17D 1/02 (2006.01)
Applicants: TOYO TANSO CO., LTD. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011 (JP) (For All Designated States Except US).
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRAIWA, Jiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOSHIMOTO, Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HAYAKAWA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TOJO, Tetsuro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OKABE, Tsuneyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASANO, Takanobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WADA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKAO, Ken [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KATO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIRAIWA, Jiro; (JP).
YOSHIMOTO, Osamu; (JP).
HAYAKAWA, Hiroshi; (JP).
TOJO, Tetsuro; (JP).
OKABE, Tsuneyuki; (JP).
ASANO, Takanobu; (JP).
WADA, Shinichi; (JP).
NAKAO, Ken; (JP).
KATO, Hitoshi; (JP)
Agent: KAJI, Yoshiyuki; c/o KAJI, SUHARA & ASSOCIATES Recruit Shin Osaka BLDG. 14-22, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2006-029299 07.02.2006 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR PRODUCTION PLANT
(FR) INSTALLATION DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体製造プラント
Abstract: front page image
(EN)A fluorine gas generator is connected with semiconductor production units (3a-3e) through a gas supply system (2) having a tank (12) for storing a predetermined amount of fluorine gas generated from on-site fluorine gas generators (1a-1e). When one or more of the on-site fluorine gas generators (1a-1e) stop, fluorine gas is supplied from the storage tank (12) storing a predetermined amount of fluorine gas to the semiconductor production units (3a-3e) thus sustaining operation of the semiconductor production units (3a-3e). Consequently, fluorine gas generated from the fluorine gas generator can be supplied to the semiconductor production unit safely and stably, and a semiconductor production plant exhibiting excellent cost performance in semiconductor production can be attained.
(FR)La présente invention concerne un générateur de fluor gazeux qui est raccordé avec des unités de production de semi-conducteur (3a-3e) par l'intermédiaire d'un système d'alimentation en gaz (2) qui comporte un réservoir (12) pour stocker une quantité prédéterminée de fluor gazeux généré à partir de générateurs de fluor gazeux sur place (1a-1e). Lorsqu'un ou plusieurs des générateurs de fluor gazeux sur place (1a-1e) s'arrêtent, le fluor gazeux est distribué à partir du réservoir de stockage (12), qui stocke une quantité prédéterminée de fluor gazeux, jusqu'aux unités de production de semi-conducteur (3a-3e), supportant ainsi le fonctionnement des unités de production de semi-conducteur (3a-3e). Par conséquent, le fluor gazeux généré à partir du générateur de fluor gazeux peut être distribué à l'unité de production de semi-conducteur de manière sûre et stable, et une installation de production de semi-conducteur présentant d'excellentes performances de coût de production de semi-conducteur peut être obtenue.
(JA) フッ素ガス発生装置と、半導体製造装置3a~3eとが、オンサイトフッ素ガス発生装置1a~1eで発生するフッ素ガスを所定量貯蔵できる貯蔵タンク12を有しているガス供給システム2を介して接続されており、オンサイトフッ素ガス発生装置1a~1eの一つ以上が停止した際、所定量のフッ素ガスが貯蔵されている貯蔵タンク12からフッ素ガスを半導体製造装置3a~3eに供給することによって、半導体製造装置の3a~3e運用を維持する。これにより、フッ素ガス発生装置で発生させたフッ素ガスを半導体製造装置に安全及び安定して供給でき、かつ、半導体製造におけるコストパフォーマンスにも優れた半導体製造プラントを得る。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)