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1. (WO2007090612) DEBRIS APPARATUS, SYSTEM AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/090612    International Application No.:    PCT/EP2007/001007
Publication Date: 16.08.2007 International Filing Date: 06.02.2007
IPC:
G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: QIMONDA AG [DE/DE]; Gustav-Heinemann-Ring 212, 81739 Munich (DE) (For All Designated States Except US).
GOODWIN, Francis [US/US]; (US)
Inventors: GOODWIN, Francis; (US)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 Munich (DE)
Priority Data:
11/347,867 06.02.2006 US
Title (EN) DEBRIS APPARATUS, SYSTEM AND METHOD
(FR) APPAREIL, SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE REBUTS
Abstract: front page image
(EN)Apparatus, system, and method for reducing contamination of semiconductor device wafers in immersion lithography fabrication. A preferred embodiment comprises a support ring (315) to provide structural integrity to the apparatus (300) and a planar ring formed on one side of the support ring. The planar ring has a plurality of openings (310) formed through the planar ring. The apparatus is placed into a trench (135) of a wafer stage (125) and the openings (310) permit excess immersion fluid (105) to pass through, into the trench (135), where it can be removed. However, the apparatus prevents the excess immersion fluid and contaminants from within the trench from being drawn back onto the wafer stage by the motion of the wafer stage, potentially contaminating a semiconductor wafer (115).
(FR)La présente invention concerne un appareil, un système et un procédé servant à réduire la contamination de plaquettes de dispositifs semi-conducteurs lors de la fabrication par lithographie par immersion. Un mode de réalisation préféré comprend un anneau de support (315) pour conférer une intégrité structurelle à l'appareil (300) et un anneau planaire disposé sur un côté de l'anneau de support. L'anneau planaire comporte une pluralité d'ouvertures (310) percées à travers l'anneau planaire. L'appareil est placé dans une tranchée (135) d'un étage de plaquette (125) et les ouvertures (310) permettent au fluide d'immersion (105) en excès de passer jusque dans la tranchée (135) où il peut être retiré. Cependant, l'appareil empêche le fluide d'immersion en excès et les contaminants de la tranchée d'être aspirés sur l'étage de plaquette par le déplacement de l'étage de plaquette, contaminant potentiellement une plaquette semi-conductrice (115).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)