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1. (WO2007089824) COMPOSITIONS AND METHODS FOR CMP OF PHASE CHANGE ALLOYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/089824    International Application No.:    PCT/US2007/002611
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 31.01.2007
IPC:
C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; LEGAL DEPARTMENT, 870 North Commons Drive, Aurora, IL 60504 (US)
Inventors: DYSARD, Jeffrey; (US).
FEENEY, Paul; (US).
ANJUR, Sriram; (US)
Agent: WESEMAN, Steven; ASSOCIATE GENERAL COUNSEL, INTELLECTUAL PROPERTY, CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION, 870 North Commons Drive, Aurora, IL 60504 (US)
Priority Data:
60/764,161 01.02.2006 US
Title (EN) COMPOSITIONS AND METHODS FOR CMP OF PHASE CHANGE ALLOYS
(FR) COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS POUR RÉALISER UN POLISSAGE CHIMICO-MÉCANIQUE SUR DES ALLIAGES À CHANGEMENT DE PHASE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition suitable for polishing a substrate comprising a phase change alloy (PCA), such as a germanium-antimony-tellurium (GST) alloy. The composition comprises not more than 6% by weight of a particulate abrasive material in combination with an optional oxidizing agent, at least one chelating agent, and an aqueous carrier therefor. The chelating agent comprises a compound or combination of compounds capable of chelating a phase change alloy or component thereof (e.g., germanium, indium, antimony and/or tellurium species) that is present in the substrate, or chelating a substance that is formed from the PCA during polishing of the substrate with the CMP composition. A CMP method for polishing a phase change alloy-containing substrate utilizing the composition is also disclosed.
(FR)La présente invention concerne une composition de polissage chimico-mécanique (chemical-mechanical polishing / CMP) adaptée au polissage d'un substrat comprenant un alliage à changement de phase (phase change alloy / PCA) tel qu'un alliage germanium-antimoine-tellurium (GST). La composition comprend au maximum 6 % en poids d'une matière particulaire abrasive combinée à un agent d'oxydation facultatif, au moins un agent de chélation, et un support aqueux. L'agent de chélation comprend un composé ou une combinaison de composés capable de réaliser la chélation d'un alliage à changement de phase ou d'une composante de celui-ci (par ex. des espèces telles que le germanium, l'indium, l'antimoine et/ou le tellurium) qui est présent(e) dans le substrat, ou de réaliser la chélation d'une substance qui est formée à partir du PCA au cours du polissage du substrat avec la composition de CMP. L'invention a également pour objet un procédé de CMP pour polir un substrat contenant un alliage à changement de phase au moyen de ladite composition.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)