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1. (WO2007089460) IMPROVED EXTERNAL EXTRACTION LIGHT EMITTING DIODE BASED UPON CRYSTALLOGRAPHIC FACETED SURFACES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/089460    International Application No.:    PCT/US2007/001531
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 19.01.2007
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2007    
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703-8475 (US) (For All Designated States Except US).
EDMOND, John, A. [US/US]; (US) (For US Only).
DONOFRIO, Matthew [US/US]; (US) (For US Only).
SLATER, David, B., Jr. [US/US]; (US) (For US Only).
KONG, Hua-Shuang [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: EDMOND, John, A.; (US).
DONOFRIO, Matthew; (US).
SLATER, David, B., Jr.; (US).
KONG, Hua-Shuang; (US)
Agent: SUMMA, Philip; Summa, Allan & Additon, P.A., 11610 N. Community House Road, Suite 200, Charlotte, NC 28277 (US)
Priority Data:
11/343,180 30.01.2006 US
Title (EN) IMPROVED EXTERNAL EXTRACTION LIGHT EMITTING DIODE BASED UPON CRYSTALLOGRAPHIC FACETED SURFACES
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À EXTRACTION DE LUMIÈRE AMÉLIORÉE, À BASE DE SURFACES À FACETTES CRISTALLOGRAPHIQUES
Abstract: front page image
(EN)A light emitting diode (20) is disclosed that includes a support structure (21) and a Group III nitride light emitting active structure (22) mesa (23) on the support structure (21) . The mesa (23) has its sidewalls (24) along an indexed crystal plane of the Group III nitride . A method of forming the diode (20) is also disclosed that includes the steps of removing a substrate (43) from a Group III nitride light emitting structure that includes a sub-mount structure (45) on the Group III nitride light emitting active structure (44) opposite the substrate (43) , and thereafter etching the surface (53) of the Group III nitride from which the substrate (43) has been removed with an anisotropic etch to develop crystal facets on the surface (53) in which the facets are along an index plane of the Group III nitride. The method can also include etching the light emitting active structure (44) with an anisotropic etch to form a mesa (23, 51) with edges along an index plane of the Group III nitride.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente (20) comprenant une structure de support (21) et une structure active électroluminescente à base de nitrure du groupe III (22) de type mesa (23) formée sur la structure de support (21). Les parois latérales (24) de la structure de type mesa (23) sont disposées le long d'un plan d'indice du nitrure du groupe III. L'invention concerne également un procédé destiné à la formation de cette diode (20), consistant à éliminer un substrat (43) d'une structure électroluminescente à base de nitrure du groupe III comportant une sous-structure de montage (45) en contact avec la structure active électroluminescente à base de nitrure du groupe III (44), opposée au substrat (43), puis à attaquer par gravure anisotrope la surface (53) du nitrure du groupe III à partir de laquelle le substrat (43) a été éliminé, afin d'obtenir des facettes cristallines sur la surface (53), ces facettes étant disposées le long d'un plan d'indice du nitrure du groupe III. Le procédé consiste également à attaquer par gravure anisotrope la structure active électroluminescente (44) afin de former une structure de type mesa (23, 51) dont les bords sont disposés le long d'un plan d'indice du nitrure du groupe III.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)