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1. (WO2007089255) MOTOR DRIVE CIRCUIT AND WINDING CURRENT SENSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/089255    International Application No.:    PCT/US2006/016694
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 02.05.2006
IPC:
G01R 31/34 (2006.01), G01R 19/22 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
CHILDERS, Jim, D. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHILDERS, Jim, D.; (US)
Agent: FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
11/343,762 31.01.2006 US
Title (EN) MOTOR DRIVE CIRCUIT AND WINDING CURRENT SENSING
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE MOTEUR ET DÉTECTION DE COURANT D'ENROULEMENT
Abstract: front page image
(EN)A drive circuit and method for sensing motor winding current. An FET drive transistor (301) has its ON resistance periodically increased to about five times the normal ON resistance for short sensing intervals during motor drive. An analog-to-digital converter senses the voltage across this FET during the sensing intervals. The resulting digital signal is used to calculate motor current. The time at high ON resistance is much less than the time at normal. The ON resistance can be changed using two FETs (301, 302) or one FET with gate fingers over differing parts of the channel region.
(FR)L'invention concerne un circuit de commande et un procédé de détection d'un courant d'enroulement moteur. Un transistor de commande FET (301) voit sa résistance à l'état passant périodiquement augmentée de l'ordre d'environ cinq fois la résistance à l'état passant normale sur des intervalles de détection courts lors de la commande moteur. Un convertisseur analogique/numérique détecte la tension au travers du FET au cours des intervalles de détection. Le signal numérique résultant sert à calculer le courant moteur. La durée pendant laquelle la résistance à l'état passant est élevée est bien inférieure à la durée pendant laquelle la résistance à l'état passant est normale. La résistance à l'état passant peut être modifiée au moyen de deux FET (301, 302) ou d'un FET présentant des doigts de grille sur diverses parties de la zone de canal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)