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1. (WO2007089089) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/089089    International Application No.:    PCT/KR2007/000487
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 29.01.2007
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. [KR/KR]; 1-36 Block, 727-5, Wonsi-dong, Danwon-gu, Ansan-si, Gyeonggi-do 425-851 (KR) (For All Designated States Except US).
HWANG, Eu Jin [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: HWANG, Eu Jin; (KR)
Agent: LEE, Soo Wan; 1901-ho, Keungil Tower 19F, 677-25 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-914 (KR)
Priority Data:
10-2006-0010284 02.02.2006 KR
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
(FR) DIODE LUMINESCENTE A SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a light emitting diode comprising a substrate; a nitride semiconductor layer formed on the substrate; an ITO mask pattern formed on the nitride semiconductor layer; an N-type semiconductor layer formed through lateral growth on the nitride semiconductor layer and the ITO mask pattern; and a P-type semiconductor layer formed on the N-type semiconductor layer. In a nitride semiconductor light emitting diode of the present invention, a nitride semiconductor layer is formed through lateral growth, so that crystal defects can be reduced, thereby enhancing the crystallinity of the semiconductor layer. Accordingly, the performance of the light emitting diode can be enhanced, and the reliability thereof can be secured. Particularly, there is an advantage in that since ITO with high electrical conductivity is used as a mask pattern for lateral growth, so that a current spreading property is improved, thereby enhancing light emitting efficiency.
(FR)L'invention concerne une diode luminescente composée d'un substrat, d'une couche de semi-conducteur au nitrure placée sur le substrat, d'une configuration de masque ITO placée sur la couche de semi-conducteur au nitrure, d'une couche de semi-conducteur de type N créée par croissance latérale sur la couche de semi-conducteur au nitrure et la configuration de masque ITO et d'une couche de semi-conducteur de type P créée sur la couche de semi-conducteur de type N. Dans cette diode luminescente, une couche de semi-conducteur au nitrure est créée par croissance latérale, de façon à limiter les défauts cristallins, ce qui améliore les caractéristiques cristallines de la couche de semi-conducteur. Ceci permet d'augmenter les performances de cette diode et d'en assurer la fiabilité. Étant donné que la configuration de masque de croissance latérale est constituée par ITO extrêmement conducteur, de manière à améliorer la propriété de diffusion du courant, l'efficacité de luminescence de la diode est avantageusement augmentée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)