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Pub. No.:    WO/2007/088991    International Application No.:    PCT/JP2007/051851
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 30.01.2007
G02B 6/12 (2006.01), G02B 6/122 (2006.01), G02B 27/28 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01)
Applicants: TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-Ku, Tokyo 1528550 (JP) (For All Designated States Except US).
MITSUMI ELECTRIC CO. , LTD. [JP/JP]; 2-11-2, Tsurumaki, Tama-Shi, Tokyo 2068567 (JP) (For All Designated States Except US).
MIZUMOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKURAI, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MIZUMOTO, Tetsuya; (JP).
SAKURAI, Kazumasa; (JP)
Agent: AGATA, Yuzo; 13-5, Akasaka 2-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1070052 (JP)
Priority Data:
2006-021689 31.01.2006 JP
(JA) 集積型光アイソレータ
Abstract: front page image
(EN)An easily-producible integrated light isolator having a structure integrating a semiconductor laser and a light isolator integrally in which reverse propagation light of the light isolator is absorbed efficiently and generation of stray light is prevented. In an integrated light isolator where a semiconductor waveguide layer is formed on a compound semiconductor substrate, a semiconductor laser is formed in one part of the semiconductor waveguide layer and a light isolator is formed in the other part, a laser current injection electrode is arranged above the active layer of the semiconductor waveguide layer where the semiconductor laser is formed, and an end absorption layer is arranged at the output end of a reverse propagation light output waveguide of the light isolator on the opposite sides of the semiconductor laser.
(FR)L'invention concerne un isolateur optique intégré de fabrication aisée qui possède une structure intégrant un laser semi-conducteur et un isolateur optique ; cet isolateur intégré permet d'absorber efficacement la lumière de propagation inverse de l'isolateur optique et d'empêcher l'apparition de lumière parasite. Dans cet isolateur optique intégré, on a formé une couche semi-conductrice à guides d'ondes sur un substrat semi-conducteur composite ; on a formé un laser semi-conducteur dans une partie de la couche semi-conductrice à guides d'ondes et un isolateur optique dans l'autre partie de la couche semi-conductrice ; on a ménagé une électrode d'injection de courant laser par-dessus la couche active de la couche semi-conductrice à guides d'ondes à l'endroit où l'on a formé le laser semi-conducteur ; et l'on a formé une couche d'absorption terminale à l'extrémité de sortie d'un guide d'ondes de sortie de la lumière de propagation inverse de l'isolateur optique, sur les côtés opposés du laser semi-conducteur.
(JA)半導体レーザと光アイソレータを一体型に集積した構造で、その製造工程が容易であり、光アイソレータの逆方向伝搬光を効率良く吸収し、迷光の発生を防止した集積型光アイソレータを提供する。 化合物半導体基板上に半導体導波層を層設し、前記半導体導波層の一方部に半導体レーザを形成し、他方部に光アイソレータを形成した集積型光アイソレータにおいて、前記半導体レーザのある半導体導波層の活性層の上部にレーザ電流注入電極を配設し、前記半導体レーザの両脇で前記光アイソレータの逆方向伝搬光出力導波路出力端に終端吸収層を配設する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)