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1. (WO2007088862) PELLICLE FOR HIGH NUMERICAL APERTURE EXPOSURE DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/088862    International Application No.:    PCT/JP2007/051520
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 30.01.2007
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: MITSUI CHEMICALS, INC. [JP/JP]; 5-2, Higashi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1057117 (JP) (For All Designated States Except US).
KONDOU, Masahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAKANO, Toshihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KONDOU, Masahiro; (JP).
NAKANO, Toshihiko; (JP)
Agent: NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg. 3-17, Shinjuku 4-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Priority Data:
2006-024246 01.02.2006 JP
Title (EN) PELLICLE FOR HIGH NUMERICAL APERTURE EXPOSURE DEVICE
(FR) PELLICULE DESTINEE A UN DISPOSITIF D'EXPOSITION A OUVERTURE NUMERIQUE ELEVEE
(JA) 高開口数露光装置用ペリクル
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a pellicle that is used in a semiconductor lithography process and is usable in an exposure device having a numerical aperture in an optical system of not less than 1.0. The pellicle comprises a pellicle film having a thickness which has been regulated so that the transmittance as measured in an angle of incidence of exposure light to the pellicle film of not less than 0º and not more than 20º is not less than 95%. The use of the pellicle can realize the manufacture of a semiconductor element having a nonconventional fine circuit pattern at good yield while preventing the adherence of dust onto a leticule.
(FR)La présente invention concerne une pellicule qui est employée lors d'un procédé de lithographie sur semi-conducteur et peut s'utiliser dans un dispositif d'exposition doté d'une ouverture numérique dans un système optique qui ne descend pas en dessous de 1,0. La pellicule comprend un film pelliculaire dont l'épaisseur a été ajustée de manière à ce que le facteur de transmission, tel que mesuré selon un angle d'incidence de la lumière d'exposition par rapport au film pelliculaire compris entre 0º et 20º inclus, ne soit pas inférieur à 95 %. L'utilisation de la pellicule permet de fabriquer un élément semi-conducteur équipé d'un motif de circuit mince et non conventionnel à bon rendement tout en empêchant la poussière d'adhérer sur une lenticule.
(JA) 半導体リソグラフィ工程で用いられる、光学系の開口数が1.0以上の露光装置に使用可能なペリクル(pellicle)を提供する。本発明のペリクルは、露光光のペリクル膜への入射角が0°以上20°以下の範囲で95%以上の透過率を示すように膜厚を調整したペリクル膜を使用する。本発明のペリクルを用いることで、従来にはない微細な回路パターンを有する半導体素子を、レチクルへの塵埃付着を防止して、歩留まり良く生産することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)