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1. (WO2007088792) METHOD FOR SEED FILM FORMATION, PLASMA FILM FORMING APPARATUS, AND MEMORY MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/088792    International Application No.:    PCT/JP2007/051293
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 26.01.2007
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/54 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKUMA, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IKEDA, Taro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YOKOYAMA, Osamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUDA, Tsukasa [JP/US]; (US) (For US Only).
HATANO, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIZUSAWA, Yasushi [JP/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SAKUMA, Takashi; (JP).
IKEDA, Taro; (JP).
YOKOYAMA, Osamu; (JP).
MATSUDA, Tsukasa; (US).
HATANO, Tatsuo; (JP).
MIZUSAWA, Yasushi; (US)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2006-022239 31.01.2006 JP
Title (EN) METHOD FOR SEED FILM FORMATION, PLASMA FILM FORMING APPARATUS, AND MEMORY MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE GERME, DISPOSITIF DE FABRICATION DE PELLICULE PAR PLASMA, ET SUPPORT MÉMOIRE
(JA) シード膜の成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a method for seed film formation that can form a seed film without forming any overhung part. A metal target (70) is ionized by plasma within a vacuum drawable treatment vessel (24) to generate metal ions. The metal ions are drawn by bias electric power into an object, to be treated, having on its surface a recess (4) mounted on a mount table (34) within the treatment vessel to form a metal film on the surface of the object including the inside of the recess and thus to form a seed film for plating. In this method, a film forming step of forming a metal film at a bias electric power set so that a metal film, which has been once formed on the surface of the object, is not sputtered, and an idle step of not generating any metal ion to halt the formation of a metal film are alternately repeated a plurality of times.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une couche germe qui permet de constituer une couche germe sans créer d'élément en surplomb. Une cible métallique (70) est ionisée par plasma dans un réacteur de traitement (24) extractible pour générer des ions métalliques. Les ions métalliques sont extraits par une énergie électrique polarisée dans un objet à traiter, dont la surface comporte un retrait (4) monté sur une table de montage (34) à l'intérieur du réacteur de traitement pour constituer une pellicule métallique sur la surface de l'objet comprenant l'intérieur du retrait et constituant ainsi une couche germe pour le placage. Dans ce procédé, une étape consistant à réaliser une pellicule métallique à une énergie électrique polarisée de sorte qu'une pellicule métallique qui a été formée auparavant sur la surface de l'objet ne soit pas pulvérisée, et une étape passive consistant à ne générer aucun ion métallique pour arrêter la formation d'une pellicule métallique sont répétées alternativement plusieurs de fois.
(JA) オーバハング部分を生ぜしめることなくシード膜を形成することができるシード膜の成膜方法を提供することにある。  真空引き可能になされた処理容器24内でプラズマにより金属ターゲット70をイオン化させて金属イオンを発生させ、金属イオンを処理容器内の載置台34上に載置した表面に凹部4を有する被処理体へバイアス電力により引き込んで凹部内を含む被処理体の表面に金属膜を形成することによりメッキ用のシード膜を形成するようにしたシード膜の成膜方法において、バイアス電力を、被処理体の表面に一旦形成された金属膜がスパッタされないような大きさに設定して金属膜を形成する成膜工程と、金属イオンを発生させないで金属膜の形成を休止する休止工程とを、交互に複数回繰り返す。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)