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1. (WO2007088692) PLASMA ETCHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/088692    International Application No.:    PCT/JP2006/325880
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 26.12.2006
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
KISHIMOTO, Katsushi; (For US Only)
Inventors: KISHIMOTO, Katsushi;
Agent: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2006-023393 31.01.2006 JP
Title (EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
Abstract: front page image
(EN)Plasma is generated by using a diluent gas which is decomposed more easily than an etching gas. Then, the etching gas is introduced into a plasma process reaction vessel (101) to increase the flow quantity, and at the same time, the flow quantity of the diluent gas of a substantially the same flow quantity is adjusted to be reduced. Pressure fluctuation in the plasma process reaction vessel (101) is reduced, the gas flow quantity is set at a prescribed value while maintaining the generated plasma, and desired conditions are obtained.
(FR)Dans la présente invention, le plasma est généré en utilisant un gaz diluant qui se décompose plus facilement qu'un gaz de gravure. Ensuite, le gaz de gravure est introduit dans un réacteur (101) de traitement par plasma pour augmenter la quantité de flux, et en même temps, la quantité de flux du gaz diluant d'un flux sensiblement égal est ajustée pour être réduite. La fluctuation de pression dans le réacteur (101) de traitement par plasma est réduite, la quantité de flux de gaz est réglée à une valeur prédéterminée tout en maintenant le plasma généré, ce qui permet d'obtenir les conditions désirées.
(JA) エッチングガスより分解し易い希釈ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プラズマ処理反応容器(101)内にエッチングガスを導入し流量を増加すると同時に、略同流量の希釈ガスの流量を減ずるように流量調整することにより、プラズマ処理反応容器(101)内の圧力変動を低減し、発生したプラズマを維持したまま、ガス流量を所定値に設定し、所望の条件とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)