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1. (WO2007088058) SUPPORT FOR WAFER SINGULATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/088058    International Application No.:    PCT/EP2007/000873
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 01.02.2007
IPC:
H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: XSIL TECHNOLOGY LIMITED [IE/IE]; Unit 3, Trinity Enterprise Centre, Pearse Street, Dublin 2 (IE) (For All Designated States Except US).
TULLY, John [IE/IE]; (IE) (For US Only).
DIGGIN, Billy [IE/IE]; (IE) (For US Only).
TOFTNESS, Richard, F. [US/US]; (US) (For US Only).
O'HALLORAN, John [IE/IE]; (IE) (For US Only)
Inventors: TULLY, John; (IE).
DIGGIN, Billy; (IE).
TOFTNESS, Richard, F.; (US).
O'HALLORAN, John; (IE)
Agent: WANT, Clifford, J.; Harrison Goddard Foote, 40-43 Chancery Lane, London WC2A 1JA (GB)
Priority Data:
0602114.1 02.02.2006 GB
Title (EN) SUPPORT FOR WAFER SINGULATION
(FR) SUPPORT DE SÉPARATION DE TRANCHE
Abstract: front page image
(EN)A support substrate or chuck 20 supports wafer die 11 during and after dicing of a wafer 10. The support substrate comprises an array of islands 21, upper faces of which are raised above a major face of the support substrate for alignment with an array of dies on, or singulated from, the wafer. Spacing between the islands is not less than a kerf of a laser, or a width of a blade, used to dice the wafer. For laser dicing the upper faces of the islands are a sufficient height above the major face that energy of a laser beam 30 used to dice the wafer is dissipated in channels between the islands without substantially machining the support substrate.
(FR)L'invention concerne un substrat support ou un dispositif de fixation (20) qui porte le dé de tranche (11) pendant et après le découpage en dés d'une tranche (10). Le substrat support comprend un réseau d'îlots (21) dont les faces supérieures sont soulevées pour être amenées au-dessus de la surface principale du substrat support et alginées au réseau d'îlots de la tranche ou séparé de la tranche. L'espace entre les îlots est au moins égal à une entaille au laser ou une largeur d'une lame utilisée pour découper la tranche en dés. Pour le découpage laser en dés, les faces supérieures des îlots se situent à une hauteur suffisante au-dessus de la surface principale de telle façon que l'énergie du faisceau laser (30) utilisé pour découper la tranche en dés, puisse se dissiper dans les canaux situés entre les îlots sensiblement sans usinage du substrat support.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)