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1. (WO2007087959) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT FOR AN OPTICALLY PUMPED, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/087959    International Application No.:    PCT/EP2007/000124
Publication Date: 09.08.2007 International Filing Date: 09.01.2007
Chapter 2 Demand Filed:    20.11.2007    
IPC:
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/04 (2006.01), H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastr. 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
SCHULZ, Nicola [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RATTUNDE, Marcel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WAGNER, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BEYERTT, Svent-Simon [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BRAUCH, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KÜBLER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GIESEN, Adolf [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SCHULZ, Nicola; (DE).
RATTUNDE, Marcel; (DE).
WAGNER, Joachim; (DE).
BEYERTT, Svent-Simon; (DE).
BRAUCH, Uwe; (DE).
KÜBLER, Thomas; (DE).
GIESEN, Adolf; (DE)
Agent: PFENNING MEINIG & PARTNER GBR; Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2006 002 879.1 20.01.2006 DE
Title (DE) HALBLEITERANORDNUNG FÜR EINEN OPTISCH GEPUMPTEN OBERFLÄCHENEMITTIERENDEN HALBLEITERLASER
(EN) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT FOR AN OPTICALLY PUMPED, SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR CONÇU POUR UN LASER À SEMI-CONDUCTEUR À POMPAGE OPTIQUE ET ÉMISSION PAR LA SURFACE
Abstract: front page image
(DE)1. Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser 2. Bei einer Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (2) mit mehreren Gruppen (9, 10, 11, 12, 13) von Quantentöpfen und mit wenigstens einer zwischen zwei Gruppen angeordneten Absorptionsschicht (3, 4, 5, 6, 7, 8), die in einem Resonator angeordnet sind, ist gemäß der Erfindung vorgesehen, dass wenigstens zwei Gruppen von Quantentöpfen voneinander verschiedene Anzahlen von Quantentöpfen aufweisen. Die Struktur kann durch diese Maßnahme dahingehend optimiert werden, dass auch bei einer ungleichmäßigen Verteilung des Pumpfeldes in jedem der Quantentöpfe vergleichbare Ladungsträgerdichten erzeugt werden.
(EN)The invention relates to a semiconductor arrangement for an optically pumped, surface-emitting semiconductor laser, comprising a semiconductor body (2) having several groups (9, 10, 11, 12, 13) of quantum pots and at least one adsorption layer (3, 4, 5, 6, 7, 8) arranged between the two groups and disposed in a resonator. According to the invention, at least two groups of quantum pots comprise different amounts of quantum pots, thus optimizing the structure in such a way that similar charge carrier densities can be produced in each of the quantum pots even at an irregular distribution of the pump field.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur conçu pour un laser à semi-conducteur à pompage optique et émission par la surface, comprenant un corps semi-conducteur (2) qui comporte plusieurs groupes (9, 10, 11, 12, 13) de puits quantiques et au moins une couche d'absorption (3, 4, 5, 6, 7, 8) qui est disposée entre deux groupes et placée dans un résonateur. Selon l'invention, au moins deux groupes de puits quantiques comprennent des nombres différents de puits quantiques, ce qui permet d'améliorer la structure du dispositif de manière à pouvoir générer des densités de porteurs de charge similaires même si la répartition du champ de pompage n'est pas homogène dans chaque puits quantique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)