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1. (WO2007087589) SILICON CARBIDE FORMATION BY ALTERNATING PULSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/087589    International Application No.:    PCT/US2007/061022
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 25.01.2007
IPC:
C30B 23/00 (2006.01)
Applicants: CARACAL, INC. [US/US]; 611 Eljer Way, Ford City, PA 16226 (US) (For All Designated States Except US).
KORDINA, Olof Claes Erik [SE/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KORDINA, Olof Claes Erik; (US)
Agent: KLUGER, Joan T.; Schnader Harrison Segal & Lewis LLP, 1600 Market Street, Suite 3600, Philadelphia, PA 19103 (US)
Priority Data:
11/341,357 26.01.2006 US
Title (EN) SILICON CARBIDE FORMATION BY ALTERNATING PULSES
(FR) FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM PAR IMPULSIONS ALTERNATIVES
Abstract: front page image
(EN)A method of forming silicon carbide wherein silicon and carbon precursors are successively pulsed into a reactor in the gas phase. The precursors react to form silicon carbide before reaching the growth surface. A precursor will be preheated in the reaction chamber before reacting with the other precursor. The formed silicon carbide sublime then condenses on a growth surface.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former un carbure de silicium dans lequel des précurseurs de silicium et de carbone sont successivement impulsés dans un réacteur dans la phase gazeuse. Les précurseurs réagissent pour former un carbure de silicium avant d'atteindre la surface de croissance. Un précurseur sera préchauffé dans la chambre de réaction avant de réagir avec l'autre précurseur. Le sublimé de carbure de silicium formé se condense ensuite sur une surface de croissance.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)