WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007087127) INTRODUCTION OF METAL IMPURITY TO CHANGE WORKFUNCTION OF CONDUCTIVE ELECTRODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/087127    International Application No.:    PCT/US2007/000161
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 03.01.2007
Chapter 2 Demand Filed:    15.11.2007    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
CHUDZIK, Michael, P. [US/US]; (US) (For US Only).
DORIS, Bruce, B. [US/US]; (US) (For US Only).
GUHA, Supratik [US/US]; (US) (For US Only).
JAMMY, Rajarao [IN/US]; (US) (For US Only).
NARAYANAN, Vijay [IN/US]; (US) (For US Only).
PARUCHURI, Vamsi, K. [IN/US]; (US) (For US Only).
WANG, Yun, Y. [US/US]; (US) (For US Only).
KWONG HON WONG, Keith [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHUDZIK, Michael, P.; (US).
DORIS, Bruce, B.; (US).
GUHA, Supratik; (US).
JAMMY, Rajarao; (US).
NARAYANAN, Vijay; (US).
PARUCHURI, Vamsi, K.; (US).
WANG, Yun, Y.; (US).
KWONG HON WONG, Keith; (US)
Agent: GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser PC, 400 Garden City Plaza, Garden City, NY 11530 (US)
Priority Data:
11/336,727 20.01.2006 US
Title (EN) INTRODUCTION OF METAL IMPURITY TO CHANGE WORKFUNCTION OF CONDUCTIVE ELECTRODES
(FR) INTRODUCTION D’IMPURETES METALLIQUES AFIN DE MODIFIER LE POTENTIEL D’EXTRACTION D’ELECTRODES CONDUCTRICES
Abstract: front page image
(EN)Semiconductor structures, such as, for example, field effect transistors (FETs) and/or metal- oxide-semiconductor capacitor (MOSCAPs), are provided in which the workfunction of a conductive electrode stack is changed by introducing metal impurities into a metal-containing material layer which, together with a conductive electrode, is present in the electrode stack. The choice of metal impurities depends on whether the electrode is to have an n-type workfunction or a p-type workfunction. The present invention also provides a method of fabricating such semiconductor structures. The introduction of metal impurities can be achieved by codeposition of a layer containing both a metal-containing material and workfunction altering metal impurities, forming a stack in which a layer of metal impurities is present between layers of a metal-containing material, or by forming a material layer including the metal impurities above and/or below a metal-containing material and then heating the structure so that the metal impurities are introduced into the metal-containing material.
(FR)L’invention a trait à des structures semi-conductrices, par exemple transistors à effet de champ (FET) et/ou condensateurs à oxyde métallique et semi-conducteur (MOSCAP), telles que le potentiel d’extraction d’un empilage d’électrodes conductrices soit modifié par l’introduction d’impuretés métalliques dans une couche de matériau contenant du métal, ladite couche se trouvant dans l’empilage d’électrodes avec une électrode conductrice. Le choix des impuretés métalliques varie selon que l’on désire que l’électrode ait un potentiel d’extraction de type n ou de type p. La présente invention concerne également un procédé de fabrication de telles structures semi-conductrices. L’introduction d’impuretés métalliques peut être effectuée via les étapes suivantes : codéposition d’une couche comprenant un matériau contenant du métal et des impuretés métalliques modifiant le potentiel d’extraction, formation d’un empilage dans lequel une couche d’impuretés métalliques est placée entre des couches de matériau contenant du métal, ou formation d’une couche de matériau contenant les impuretés métalliques au-dessus et/ou au-dessous d’un matériau contenant du métal, puis chauffage de la structure de façon à introduire les impuretés dans le matériau contenant du métal.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)