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Pub. No.:    WO/2007/086424    International Application No.:    PCT/JP2007/051085
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 24.01.2007
G01J 1/02 (2006.01), G01J 1/04 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 35/32 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP) (For All Designated States Except US).
OJIMA, Fumikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUZUKI, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KITAURA, Ryusuke [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OJIMA, Fumikazu; (JP).
SUZUKI, Jun; (JP).
KITAURA, Ryusuke; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg. 10-6 Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Priority Data:
2006-016733 25.01.2006 JP
(JA) 赤外線吸収体および熱型赤外線検出器
Abstract: front page image
(EN)An infrared absorbing film (2) comprises a TiN-containing first layer (21) and an Si-based compound-containing second layer (22) and functions to convert infrared energy introduced from a second layer (22) side to heat. TiN has high infrared ray absorption in a wavelength range below 8 μm, but on the other hand, has high infrared ray reflectance in a wavelength range above 8 μm. Accordingly, stacking an Si-based compound layer having good infrared ray absorption in a long wavelength range onto a TiN layer can realize suitable infrared ray absorption in a wavelength range, which is low in absorption in the TiN layer, in the Si-based compound layer and, at the same time, can realize reflection of infrared rays, which is about to be passed through the Si-based compound layer, from the interface of the TiN layer and the Si-based compound layer to return the infrared rays to the Si-based compound layer.
(FR)Le film absorbant infrarouge (2) selon l'invention comprend une première couche contenant du TiN (21) et une seconde couche contenant un composé à base de Si (22) et sert à convertir l’énergie infrarouge introduite à partir d’une seconde couche (22) en chaleur. Le TiN possède une absorption élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde inférieure à 8 µm, mais d’autre part, possède une réflectance élevée des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde supérieure à 8 µm. En conséquence, l’empilage d’une couche de composé à base de Si présentant une bonne absorption des rayons infrarouges dans une longue plage de longueur d’onde sur une couche de TiN permet d’atteindre une absorption adéquate des rayons infrarouges dans une plage de longueur d’onde, de faible absorption dans la couche de TiN, dans la couche de composé à base de Si et, en même temps, permet de réfléchir les rayons infrarouges, allant passer à travers la couche composée à base de Si, à partir de l’interface de la couche de TiN et de la couche de composé à base de Si pour renvoyer les rayons infrarouges à la couche de composé à base de Si.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)