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1. (WO2007086366) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086366    International Application No.:    PCT/JP2007/050968
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 23.01.2007
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
Applicants: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAHARA, Ken; (JP)
Agent: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2006-015259 24.01.2006 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体発光素子
Abstract: front page image
(EN)Provided is a nitride semiconductor light emitting element, which has improved light extracting efficiency, irrespective of the reflection coefficient of a metal used for an electrode, and a wide irradiation angle of an output light. An n-side reflection preventing layer (2) and a p-side Bragg reflection layer (4) are formed to sandwich an MQW active layer (3) as a light emitting region, and a double hetero structure is formed. On the n-side reflection preventing layer (2), an n-electrode (1) is formed. A p-electrode (5), a reflection film (7) and a pad electrode (8) are formed on the lower side of the p-side Bragg reflection layer (4) and are connected with a supporting substrate (10) through a conductive connecting layer (9). The n-side reflection preventing layer (2) and the p-side Bragg reflection layer (4) also function as contact layers. Since the n-side reflection preventing layer (2) is arranged in a light extracting direction, and the p-side Bragg reflection layer (4) is arranged on the side opposite to the light extracting direction, the light extracting efficiency is improved.
(FR)La présente invention concerne un élément émetteur de lumière semi-conducteur au nitrure dont l'efficacité d'extraction lumineuse est améliorée indépendamment du coefficient de réflexion d’un métal utilisé pour une électrode, et dont l’angle d’irradiation d’une lumière de sortie est large. Une couche de prévention de la réflexion (2) du côté n et une couche de réflexion de Bragg (4) du côté p sont disposées de façon à intercaler une couche active MWQ (3) comme zone émettrice de lumière, ce qui constitue une double hétérostructure. Sur la couche de prévention de réflexion (2) du côté n, une électrode n (1) est disposée. Une électrode p (5), une pellicule de réflexion (7) et une pastille d'électrode (8) sont disposées sur le côté inférieur de la couche de réflexion de Bragg (4) du côté p et sont connectées sur un substrat de support (10) au moyen d’une couche de connexion (9) conductrice. La couche de prévention de réflexion (2) du côté n et la couche de réflexion de Bragg (4) du côté p fonctionnent également comme couches de contact. Puisque la couche de prévention de réflexion (2) du côté n est disposée dans une direction d’extraction de la lumière, et que la couche de réflexion de Bragg (4) du côté p est disposée du côté opposé à la direction d’extraction de la lumière, l’efficacité d’extraction lumineuse est améliorée.
(JA) 電極に使用する金属の反射率に関係なく、光の取り出し効率を高めて、出射光の照射角度が広がりを持つような窒化物半導体発光素子を提供する。  発光領域としてのMQW活性層3を挟むようにしてn側反射防止層2とp側ブラッグ反射層4が形成されており、ダブルへテロ構造を有する。n側反射防止層2の上には、n電極1が形成され、p側ブラッグ反射層4の下側には、p電極5、反射膜7、パッド電極8が形成され、導電性接合層9を介して支持基板10に接合されている。n側反射防止層2及びp側ブラッグ反射層4は、コンタクト層の役割も兼ねている。光の取り出し方向には、n側反射防止層2が配置され、光の取り出し方向と反対側にはp側ブラッグ反射層4が配置されているので、光の取り出し効率が向上する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)