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1. (WO2007086311) LIGHT-EMITTING MATERIAL, LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086311    International Application No.:    PCT/JP2007/050743
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 12.01.2007
IPC:
C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/54 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKATA, Junichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SAKATA, Junichiro; (JP)
Priority Data:
2006-019867 27.01.2006 JP
Title (EN) LIGHT-EMITTING MATERIAL, LIGHT-EMITTING ELEMENT, LIGHT-EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC APPLIANCE
(FR) MATÉRIAU PHOTOÉMETTEUR, ÉLÉMENT PHOTOÉMETTEUR, DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)The present invention is to provide a novel light-emitting material, a light-emitting element capable of low-voltage driving, and light-emitting device and electronic appliance with lower power consumption. Moreover, the present invention is to provide light-emitting device and electronic appliance manufactured at low cost. The light-emitting material includes a base material, a first impurity, a second impurity, and a third impurity. The first impurity forms a shallow donor level in the base material, the second impurity forms a shallow acceptor level in the base material, and the third impurity forms a shallow trap level in the base material. The base material includes a compound including an element of Group 2 in the periodic table and an element of Group 16 in the periodic table. Light is emitted by recombination of an electron at the shallow donor level and a hole at the deep trap level.
(FR)L'invention porte: sur un nouveau matériau photoémetteur, sur un élément photoémetteur à alimentation basse tension, sur un dispositif photoémetteur et sur un appareil électronique à faible consommation d’énergie. L'invention porte en outre sur un dispositif photoémetteur et sur un appareil électronique à faible coût de fabrication. Ledit matériau photoémetteur comporte un matériau de base, une première impureté, une deuxième impureté et une troisième impureté. La première impureté forme dans le matériau de base un niveau de donneur superficiel, la deuxième impureté forme dans le matériau de base un niveau d’accepteur superficiel, et la troisième impureté forme dans le matériau de base un niveau profond de piégeage. Le matériau de base est un composé comprenant un élément du groupe 2 de la table périodique et un élément du groupe 16 de la table périodique. La lumière est émise par recombinaison d’un électron du niveau du donneur superficiel et d’un trou du niveau profond de piégeage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)