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1. (WO2007086310) LIGHT EMITTING MATERIAL, LIGHT EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086310    International Application No.:    PCT/JP2007/050742
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 12.01.2007
IPC:
C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/00 (2006.01), C09K 11/54 (2006.01), C09K 11/62 (2006.01), C09K 11/64 (2006.01), C09K 11/78 (2006.01), C09K 11/84 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
SAKATA, Junichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAKAMI, Takahiro; (For US Only).
YAMAMOTO, Yoshiaki; (For US Only).
KATAYAMA, Miki; (For US Only).
YOKOYAMA, Kohei; (For US Only)
Inventors: SAKATA, Junichiro; (JP).
KAWAKAMI, Takahiro; .
YAMAMOTO, Yoshiaki; .
KATAYAMA, Miki; .
YOKOYAMA, Kohei;
Priority Data:
2006-019869 27.01.2006 JP
Title (EN) LIGHT EMITTING MATERIAL, LIGHT EMITTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) MATÉRIAU PHOTOÉMETTEUR, DISPOSITIF PHOTOÉMETTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)An object is to provide a novel light emitting material. Another object is to provide a light emitting device and an electronic device with reduced power consumption. Still another object is to provide a light emitting device and an electronic device which can be manufactured at low cost. Provided is a light emitting element including a base material, a first impurity element, a second impurity element, and a third impurity element. The base material is one of ZnS, CdS, CaS, Y2S3, Ga2S3, SrS, BaS, ZnO, Y2O3, AlN, GaN, InN, ZnSe, ZnTe, and SrGa2S4; the first impurity element is any of Cu, Ag, Au, Pt, and Si; the second impurity element is any of F, Cl, Br, I, B, Al, Ga, In, and Tl; and the third impurity element is any of Li, Na, K, Rb, Cs, N, P, As, Sb, and Bi.
(FR)La présente invention concerne un nouveau matériau photoémetteur. La présente invention concerne également un dispositif photoémetteur et un dispositif électronique à consommation d'énergie réduite. La présente invention concerne en outre un dispositif photoémetteur et un dispositif électronique pouvant être fabriqués à faible coût. La présente invention concerne notamment un élément photoémetteur incluant un matériau de base, un premier élément d'impureté, un second élément d'impureté et un troisième élément d'impureté. Le matériau de base est sélectionné parmi ZnS, CdS, CaS, Y2S3, Ga2S3, SrS, BaS, ZnO, Y2O3, AlN, GaN, InN, ZnSe, ZnTe et SrGa2S4 ; le premier élément d'impureté est sélectionné parmi Cu, Ag, Au, Pt et Si ; le second élément d'impureté est sélectionné parmi F, Cl, Br, I, B, Al, Ga, In et Tl ; et le troisième élément d'impureté est sélectionné parmi Li, Na, K, Rb, Cs, N, P, As, Sb et Bi.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)