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1. (WO2007086302) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086302    International Application No.:    PCT/JP2007/050677
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 18.01.2007
IPC:
B82B 3/00 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/56 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01), F04B 43/04 (2006.01)
Applicants: Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. [JP/JP]; 26-2, Nishishinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630512 (JP) (For All Designated States Except US).
GOAN, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HOSHINO, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUKADA, Kazuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: GOAN, Kazuyoshi; (JP).
HOSHINO, Hideki; (JP).
TSUKADA, Kazuya; (JP)
Priority Data:
2006-018120 26.01.2006 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NANOPARTICULES SEMI-CONDUCTRICES
(JA) ナノ半導体粒子の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A process for producing semiconductor nanoparticles of the core/shell structure which are capable of becoming an optical element having excellent optical properties. The process for semiconductor nanoparticle production is characterized by comprising a step in which a semiconductor nanoparticle precursor in the form of droplets is heated/burned in a microreactor channel having a tube diameter of 1 µm to 3 mm. Preferably, the process for semiconductor nanoparticle production is characterized by comprising a precursor formation step in which a semiconductor nanoparticle precursor is formed, a step in which a solution containing the semiconductor nanoparticle precursor formed is formed into droplets, and a step in which the droplets of the solution containing the semiconductor nanoparticle precursor are heated/burned, these steps being conducted in a microreactor channel having a tube diameter of 1 µm to 3 mm.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de nanoparticules semi-conductrices ayant une structure du type noyau/enveloppe qui sont capables de devenir un élément optique présentant d'excellentes propriétés optiques. Le procédé de production des nanoparticules semi-conductrices se caractérise en ce qu'il comprend une étape pendant laquelle on chauffe/brûle un précurseur de nanoparticule semi-conductrice sous forme de gouttelettes, dans un canal de microréacteur présentant un diamètre de tube compris entre 1 µm et 3 mm. De préférence, le procédé de production de nanoparticules semi-conductrices se caractérise en ce qu'il comprend une étape de formation du précurseur dans laquelle on forme un précurseur de nanoparticule semi-conductrice, une étape de formation sous forme de gouttelettes, d'une solution contenant le précurseur de nanoparticule semi-conductrice et une étape dans laquelle les gouttelettes de la solution contenant le précurseur de nanoparticule semi-conductrice sont chauffées/brûlées, ces étapes étant menées dans un canal de microréacteur présentant un diamètre de tube compris entre 1 µm et 3 mm.
(JA) 本発明は、優れた光学特性の光学素子となり得るコア・シェル構造のナノ半導体粒子の製造方法を提供することを目的とする。  本発明のナノ半導体粒子の製造方法は、管径1μm~3mmのマイクロリアクタ流路内に、液滴化させたナノ半導体粒子前駆体を加熱焼成する工程を少なくとも含むことを特徴としている。好ましくは、管径1μm~3mmのマイクロリアクタ流路内に、ナノ半導体粒子前駆体を形成する前駆体形成工程、形成された前記ナノ半導体粒子前駆体を含む溶液を液滴化する工程、ならびに液滴化された前記ナノ半導体粒子を含む溶液を加熱焼成する工程、とを含むことを特徴とするナノ半導体粒子の製造方法である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)