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1. (WO2007086204) DOUBLE GATE ISOLATION STRUCTURE FOR CCDS AND CORRESPONDING FABRICATING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086204    International Application No.:    PCT/JP2006/324790
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 06.12.2006
IPC:
H01L 29/768 (2006.01), H01L 27/148 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 21/339 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka, 5718501 (JP) (For All Designated States Except US).
NIISOE, Naoto; (For US Only).
HIRATA, Kazuhisa; (For US Only).
YAMADA, Tohru; (For US Only)
Inventors: NIISOE, Naoto; .
HIRATA, Kazuhisa; .
YAMADA, Tohru;
Agent: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka, 5410053 (JP)
Priority Data:
2006-020299 30.01.2006 JP
Title (EN) DOUBLE GATE ISOLATION STRUCTURE FOR CCDS AND CORRESPONDING FABRICATING METHOD
(FR) STRUCTURE D'ISOLATION À DOUBLE GRILLE POUR DISPOSITIFS À TRANSFERT DE CHARGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A first oxide film (102) is formed on a semiconductor substrate (101). A first nitride film (103) is formed on first gate electrode formation regions of the first oxide film (102). A plurality of first gate electrodes (104) are provided on the first nitride film (103) so as to be spaced apart from one another with a predetermined distance therebetween. A second oxide film (105) covers upper part and side walls of each of the first gate electrodes (104). A sidewall spacer (106) of a third oxide film is buried in an overhang portion generated on each side wall of each of the first gate electrodes (104) covered by the second oxide film (105). A second nitride film (107) covers the second oxide film (105), the sidewall spacer (106) and part of the first oxide film (102) located between the first gate electrodes (104). A plurality of second gate electrodes (108) are formed on at least part of the second nitride film (107) located between adjacent two of the first gate electrodes (104).
(FR)Selon la présente invention, un premier film d'oxyde (102) est formé sur un substrat semi-conducteur (101). Un premier film de nitrure (103) est formé sur des régions de formation de première électrode de grille du premier film d'oxyde (102). Une pluralité de premières électrodes de grille (104) sont ménagées sur le premier film de nitrure (103) de manière espacée les unes des autres, avec une distance prédéfinie entre elles. Un deuxième film d'oxyde (105) recouvre une partie supérieure et des parois latérales de chacune des premières électrodes de grille (104). Un écarteur de paroi latérale (106) d'un troisième film d'oxyde est enterré dans une partie en porte-à-faux située sur chaque paroi latérale de chacune des premières électrodes de grille (104) recouvertes par le deuxième film d'oxyde (105). Un second film de nitrure (107) recouvre le deuxième film d'oxyde (105), l'écarteur de paroi latérale (106) et une partie du premier film d'oxyde (102) située entre les premières électrodes de grille (104). Une pluralité de secondes électrodes de grille (108) sont ménagées sur au moins une partie du second film de nitrure (107) située entre deux premières électrodes de grille adjacentes (104).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)