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1. (WO2007086180) ULTRASOUND PROBE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086180    International Application No.:    PCT/JP2006/322649
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 14.11.2006
IPC:
A61B 8/00 (2006.01), G01N 29/24 (2006.01), H04R 17/00 (2006.01)
Applicants: HITACHI MEDICAL CORPORATION [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021 (JP) (For All Designated States Except US).
AONO, Takanori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NAGATA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAFUSA, Katsunori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KOBAYASHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KANDA, Naoya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: AONO, Takanori; (JP).
NAGATA, Tatsuya; (JP).
ASAFUSA, Katsunori; (JP).
KOBAYASHI, Takashi; (JP).
KANDA, Naoya; (JP)
Agent: Polaire I.P.C.; 7-1, Hacchobori 2-chome, Chuo-ku Tokyo 1040032 (JP)
Priority Data:
2006-017137 26.01.2006 JP
Title (EN) ULTRASOUND PROBE
(FR) SONDE A ULTRASONS
(JA) 超音波探触子
Abstract: front page image
(EN)An ultrasound probe (2) is provided with a first substrate (20) having a silicon substrate (21) and ultrasound transmitting/receiving element (3); an acoustic lens (11) arranged on the upper plane of the first substrate (20); and a dumping layer (41) arranged below the first substrate (20). Furthermore, the ultrasound probe is provided with a second substrate (31) between the lower plane of the first substrate (20) and the upper plane of the dumping layer (41). The second substrate (31) is formed of a material having substantially the same linear expansion coefficient and acoustic impedance as those of the silicon substrate (21) of the first substrate (20). Thus, the ultrasound probe which can prevent the silicon substrate from being damaged due to temperature change, while reducing noise due to reflected wave upon transmission and reception, and has excellent transmission/reception performance and structural reliability is provided.
(FR)L'invention concerne une sonde à ultrasons (2) qui est munie d'un premier substrat (20) comportant un substrat de silicium (21) et un élément d'émission et/ou de réception d'ultrasons (3), d'une lentille acoustique (11) disposée sur le plan supérieur du premier substrat (20), ainsi que d'une couche amortisseuse (41) disposée en dessous du premier substrat (20). En outre, la sonde à ultrasons est munie d'un second substrat (31) entre le plan inférieur du premier substrat (20) et le plan supérieur de la couche de vidage (41). Le second substrat (31) est fait d'un matériau présentant sensiblement le même coefficient de dilatation linéaire et la même impédance acoustique que ceux du substrat de silicium (21) du premier substrat (20). Ainsi, l'invention propose-t-elle une sonde à ultrasons qui peut empêcher un endommagement du substrat de silicium en raison d'une modification de température, tout en réduisant le bruit dû à une onde réfléchie lors d'une émission et d'une réception, et qui présente des performances d'émission et/ou de réception et une fiabilité structurelle excellentes.
(JA) 超音波探触子2は、シリコン基板21及び超音波送受信素子3を有する第1基板20と、第1基板20の上面に設置された音響レンズ11と、第1基板20の下方に設置されたダンピング層41とを備え、さらに、第1基板20の下面とダンピング層41の上面との間に第2基板31が設置されている。この第2基板31を、第1基板20のシリコン基板21とほぼ同じ線膨張係数及び音響インピーダンスを有する材料で形成する。係る構成によって、送受信時の反射波によるノイズを低減しつつ、温度変化によるシリコン基板の損傷を防止することができ、送受信性能及び構造信頼性に優れた超音波探触子を提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)