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1. (WO2007086163) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086163    International Application No.:    PCT/JP2006/317633
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 06.09.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (For All Designated States Except US).
YASUMATSU, Takuto [JP/--]; (For US Only)
Inventors: YASUMATSU, Takuto;
Agent: YASUTOMI, Yasuo; MT-2 BLDG. 5-36, Miyahara 3-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320003 (JP)
Priority Data:
2006-016782 25.01.2006 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSTIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
Abstract: front page image
(EN)A process for producing a semiconductor device in which a semiconductor device of high performance can be produced through simple processing at low temperature. There is provided a process for producing a semiconductor device having a substrate and, sequentially superimposed thereon, a first insulating film, a semiconductor layer and a second insulating film, which process comprises the steps of forming a first insulating film including a hydrogen barrier layer; forming a semiconductor layer on a region of the first insulating film where the hydrogen barrier layer is disposed; incorporating hydrogen in the semiconductor layer; forming a second insulating film including a hydrogen barrier layer on at least a region where the semiconductor layer is disposed; and performing hydrogenation annealing of the semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur dans lequel un dispositif semi-conducteur à haute performance peut être produit par un traitement simple à basse température. Elle concerne un procédé de production d’un dispositif semi-conducteur comportant un substrat et, superposées séquentiellement sur le substrat, une première pellicule isolante, une couche semi-conductrice et une seconde pellicule isolante, les étapes du procédé consistant à constituer une première pellicule isolante comprenant une couche de barrière hydrogène ; à constituer une couche semi-conductrice sur une zone de la première pellicule isolante sur laquelle la couche de barrière hydrogène est disposée ; à incorporer de l’hydrogène dans la couche semi-conductrice ; à constituer une seconde pellicule isolante comprenant une couche de barrière hydrogène sur au moins une zone sur laquelle la couche semi-conductrice est disposée ; et à réaliser un recuit d’hydrogénation de la couche semi-conductrice.
(JA)本発明は、低温かつ簡便なプロセスで高性能な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。本発明の半導体装置の製造方法は、第1絶縁膜、半導体層及び第2絶縁膜をこの順に基板上に有する半導体装置の製造方法であって、上記製造方法は、水素遮断層を含む第1絶縁膜を形成する工程と、第1絶縁膜の水素遮断層が配置された領域上に半導体層を形成する工程と、半導体層中に水素を含有させる工程と、少なくとも半導体層が配置された領域に水素遮断層を含む第2絶縁膜を形成する工程と、半導体層の水素化アニールを行う工程とを含むものである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)