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1. (WO2007086126) FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/086126    International Application No.:    PCT/JP2006/301242
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 26.01.2006
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (For All Designated States Except US).
SASHIDA, Naoya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUURA, Katsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SASHIDA, Naoya; (JP).
MATSUURA, Katsuyoshi; (JP)
Agent: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Priority Data:
Title (EN) FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TEL DISPOSITIF MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A thin SiCH film having a thickness of 10nm or less is formed between a self-oriented film, which is formed under a lower electrode of a ferroelectric capacitor, and a conductive plug under the self-oriented film. Thus, influence of orientation of crystal grains in the conductive plug on the self-oriented film is blocked, and a problem of having a metal element in the self-oriented film not exhibiting the desired self orientation characteristics due to the influence of the metal crystal constituting the conductive plug is eliminated.
(FR)Dans la présente invention, une pellicule mince de SiCH dont l’épaisseur est inférieure ou égale à 10nm est intercalée entre une pellicule auto-orientée qui est disposée sous une électrode inférieure d’un condensateur ferroélectrique, et une broche conductrice sous la pellicule auto-orientée. Ainsi, l’influence de l’orientation des grains de cristal dans la broche conductrice sur la pellicule auto-orientée est bloquée, et le problème d’un élément métallique contenu dans la pellicule auto-orientée qui ne présenterait pas les caractéristiques d’auto-orientation désirées en raison de l'influence du cristal métallique constituant la broche conductrice est éliminé.
(JA) 強誘電体キャパシタの下部電極下に形成される自己配向膜と、その下の導電性プラグとの間に、厚さが10nm以下の薄いSiCH膜を形成し、前記自己配向膜に対する導電性プラグ中の結晶粒の配向の影響を遮断し、自己配向膜中の金属元素が前記導電性プラグを構成する金属結晶の影響により、所期の自己配向性が発現しなくなる問題を回避する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)