WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007085834) ETCH STOP STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/085834    International Application No.:    PCT/GB2007/000253
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 25.01.2007
IPC:
H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: SCIENCE AND TECHNOLOGY FACILITIES COUNCIL [GB/GB]; Polaris House, North Star Avenue, Swindon SN2 1SZ (GB) (For All Designated States Except US).
WALTON, Anthony, J. [GB/GB]; (GB) (For US Only).
HOLLAND, Wayne [GB/GB]; (GB) (For US Only).
GUNDLACH, Alan, M. [GB/GB]; (GB) (For US Only).
PARKES, William [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: WALTON, Anthony, J.; (GB).
HOLLAND, Wayne; (GB).
GUNDLACH, Alan, M.; (GB).
PARKES, William; (GB)
Agent: MURGITROYD & COMPANY; 165-169 Scotland Street, Glasgow G5 8PL (GB)
Priority Data:
0601415.3 25.01.2006 GB
Title (EN) ETCH STOP STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D’ARRET DE GRAVURE
Abstract: front page image
(EN)A buried etch stop layer (208) for fabricating stepped etched structures has a patterned recess (211). The etch stop layer is buried between etchable first (201) and second (202) layers. The recessed patterned buried etch stop layer can be made by forming a portion of the etch stop layer (204) on one of the etchable layers, etching the recess into it, then wafer bonding the etch stop layer (208) between the first (201) and second (202) layers. Once the buried etch stop layer has been formed, the process for fabricating stepped structures starts with patterning the first layer (201) and etching it to reveal a portion of the recessed area of the etch stop (211). Selective removal by etching of the revealed area is done to remove its entire thickness in the recessed area (211) but only to remove a partial thickness of the remaining revealed area (212). This is followed by selective etching of the revealed area of the second layer, masked by the remaining revealed area (212), so as to transfer a portion of the recess pattern into the second layer, optionally down to a membrane layer (214). This provides improved etch uniformity for stepped etched structures, including those with membranes.
(FR)La présente invention concerne une couche d’arrêt de gravure enfouie (208) destinée à fabriquer des structures gravées en gradin qui présente un évidement de motif (211). La couche d’arrêt de gravure est enfouie entre une première (201) et une seconde couche (202) susceptibles d’être gravées. La couche d’arrêt de gravure enfouie à évidement de motif peut s’obtenir par formation d’une partie de la couche d’arrêt de gravure (204) sur l’une des couches susceptibles d’être gravées, par gravure de l’évidement dans cette dernière, puis par collage de tranche de la couche d’arrêt de gravure (208) entre la première (201) et la seconde (202) couche. Une fois la couche d’arrêt de gravure enfouie formée, le procédé de fabrication des structures en gradin commence par la formation de motifs sur la première couche (201) et sa gravure afin de dévoiler une partie de la zone évidée de l’arrêt de gravure (211). Un retrait sélectif par gravure de la zone dévoilée est effectué afin de retirer toute l’épaisseur de la zone évidée (211) tout en ne retirant qu’une partie de l’épaisseur de la zone dévoilée restante (212). S’ensuit une gravure sélective de la zone dévoilée de la seconde couche, masquée par la zone dévoilée restante (212), de manière à transférer une partie du motif évidé dans la seconde couche, éventuellement jusqu’à la couche de membrane (214). On obtient ainsi une meilleure homogénéité de gravure de structures gravées en gradin, dont celles dotées de membranes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)