WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007085322) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON FILM ON A SUBSTRATE SURFACE BY VAPOR DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/085322    International Application No.:    PCT/EP2006/069405
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 07.12.2006
IPC:
H01L 31/052 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/22 (2006.01)
Applicants: EVONIK DEGUSSA GMBH [DE/DE]; Bennigsenplatz 1, 40474 Düsseldorf (DE) (For All Designated States Except US).
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastrasse 27, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
SONNENSCHEIN, Raymund [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RAULEDER, Hartwig [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÖNE, Hans Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REBER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHILLINGER, Norbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: SONNENSCHEIN, Raymund; (DE).
RAULEDER, Hartwig; (DE).
HÖNE, Hans Jürgen; (DE).
REBER, Stefan; (DE).
SCHILLINGER, Norbert; (DE)
Common
Representative:
EVONIK DEGUSSA GMBH; Intellectual Property Management, Patente und Marken, Standort Marl, Bau 1042 / PB 15, 45764 Marl (DE)
Priority Data:
102006003464.3 25.01.2006 DE
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON FILM ON A SUBSTRATE SURFACE BY VAPOR DEPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UNE PELLICULE DE SILICIUM SUR LA SURFACE D’UN SUBSTRAT PAR DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a process for producing a silicon film on a substrate surface by vapor deposition, starting from a silicon-based precursor, characterized in that the precursor used is silicon tetrachloride. The present invention also relates to thin-film solar cells or crystalline silicon thin-film solar cells obtainable by the process according to the invention. The invention also relates to the use of silicon tetrachloride for producing a film deposited on a substrate from the vapor phase.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’une pellicule de silicium sur la surface d’un substrat par dépôt en phase vapeur, à partir d'un précurseur à base de silicium, caractérisé en ce que le précurseur est du tétrachlorure de silicium. La présente invention concerne également des piles solaires à pellicules minces ou des piles solaires à pellicules minces en silicium cristallin pouvant être obtenues par le procédé selon l'invention. L’invention concerne également l’utilisation de tétrachlorure de silicium pour produire une pellicule déposée sur un substrat à partir de la phase de vapeur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)