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1. (WO2007085218) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/085218    International Application No.:    PCT/DE2006/002293
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 20.12.2006
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
FEHRER, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: FEHRER, Michael; (DE).
STRAUSS, Uwe; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Priority Data:
10 2006 004 172.0 27.01.2006 DE
10 2006 015 788.5 04.04.2006 DE
Title (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE A SEMI-CONDUCTEURS OPTO-ELECTRONIQUE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (3) umfasst und eine laterale Haupterstreckungsrichtung aufweist, angegeben, wobei die Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat (4) angeordnet ist, das eine Seitenfläche (17) aufweist, die Seitenfläche einen bezüglich der Haupterstreckungsrichtung angeschrägten Seitenflächenbereich (18) und/oder eine Ausnehmung (21) aufweist, und der Halbleiterchip eine strahlungsdurchlässige und elektrisch leitfähige Kontaktschicht (5) aufweist.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip (1) is disclosed, with a semiconductor layer sequence (2), comprising an active region (3) suitable for generation of radiation and a lateral principal extension, said semiconductor layer sequence being arranged on a substrate (4) with a lateral surface (17), said lateral surface having a lateral surface region (18) angled with relation to the lateral principal extension (18) and/or a recess (21) and the semiconductor chip has a radiation transparent and electrically conducting contact layer (5).
(FR)L'invention concerne une puce à semi-conducteurs (1) opto-électronique comprenant une succession de couches (2) semi-conductrices, comprenant une partie active (3) conçue pour produire un rayonnement et qui présente un sens latéral perpendiculaire, la succession de couches (2) semi-conductrices étant placée sur un substrat, qui présente une paroi latérale (17), cette dernière présentant un renfoncement (21) et/ou une partie (18) de paroi latérale incliné par rapport au sens perpendiculaire. La puce à semi-conducteurs comprend une couche de contact (5) électroconductrice et perméable aux rayons.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)