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1. (WO2007085072) SOLAR CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/085072    International Application No.:    PCT/CA2007/000034
Publication Date: 02.08.2007 International Filing Date: 10.01.2007
Chapter 2 Demand Filed:    26.11.2007    
IPC:
H01L 31/0376 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: ARISE TECHNOLOGIES CORPORATION [CA/CA]; 65 Northland Drive, Waterloo, Ontario N2V 1Y8 (CA) (For All Designated States Except US).
KHERANI, Nazir Pyarali [CA/CA]; (CA) (For US Only).
RAYAPROL, Bhanu Gangadhar [IN/CA]; (CA) (For US Only).
YEGHIKYAN, Davit [CA/CA]; (CA) (For US Only).
ZUKOTYNSKI, Stefan [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: KHERANI, Nazir Pyarali; (CA).
RAYAPROL, Bhanu Gangadhar; (CA).
YEGHIKYAN, Davit; (CA).
ZUKOTYNSKI, Stefan; (CA)
Agent: HILL & SCHUMACHER; 264 Avenue Road, Toronto, Ontario M4V 2G7 (CA)
Priority Data:
11/339,851 26.01.2006 US
Title (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a thin film amorphous silicon-crystalline silicon back heterojunction and back surface field device configuration for a heterojunction solar cell. The configuration is attained by the formation of heterojunctions on the back surface of crystalline silicon at low temperatures. Low temperature fabrication allows for the application of low resolution lithography and/or shadow masking processes to produce the structures. The shadowing losses are eliminated by positioning the electrical contacts at the back thereby removing them from the path of the incident light. Back contacts need optimization only for maximum charge carrier collection without bothering about shading losses. The open circuit voltage of the back heterojunction device is higher than that of an all-crystalline device. The solar cell configurations are equally amenable to crystalline silicon wafer absorber as well as thin silicon layers formed by using a variety of fabrication processes.
(FR)L'invention concerne une configuration de dispositif de terrain à surface arrière et à hétérojonction arrière en silicium cristallin amorphe à film mince, destinée à une cellule solaire à hétérojonction. Ladite configuration est obtenue par la formation d'hétérojonctions sur la surface arrière du silicium cristallin à des températures basses. La fabrication à basse température permet la mise en oeuvre de procédés de lithographie à faible résolution et/ou d'application de masque perforé pour produire les structures. Le placement des contacts électriques à l'arrière, qui permet à ces derniers de ne pas se trouver sur le trajet de la lumière incidente, a pour effet d'éliminer les pertes d'occultation. Les contacts arrière ne nécessitent une optimisation que pour une collecte de porteurs de charge maximale sans que les pertes d'occultation constituent un problème. La tension de circuit ouvert du dispositif à hétérojonction arrière selon l'invention est supérieure à celle d'un dispositif intégralement cristallin. Les configurations de cellule solaire selon l'invention peuvent être appliquées tant à un absorbeur à plaquette de silicium cristallin qu'à de fines couches de silicium formées à l'aide d'une variété de processus de fabrication.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)