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1. (WO2007083008) DEVICE FOR CONTROLLING A MOS TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/083008    International Application No.:    PCT/FR2006/051392
Publication Date: 26.07.2007 International Filing Date: 19.12.2006
IPC:
H03K 17/082 (2006.01), H03K 17/16 (2006.01)
Applicants: VALEO EQUIPEMENTS ELECTRIQUES MOTEUR [FR/FR]; 2 Rue André-Boulle, F-CRETEIL CEDEX 94046 (FR) (For All Designated States Except US).
DOFFIN, Hugues [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: DOFFIN, Hugues; (FR)
Agent: DE LAMBILLY, Marie-Pierre; VALEO EQUIPEMENTS ELECTRIQUES MOTEUR, 2 Rue André-Boulle, F-CRETEIL CEDEX 94046 (FR)
Priority Data:
0600572 23.01.2006 FR
Title (EN) DEVICE FOR CONTROLLING A MOS TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR MOS
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a device for controlling a transistor, said device comprising an amplifying device (15) for controlling the transistor gate via an output control signal, said device including a first input connected to the transistor drain, the whole assembly forming a first connection, a second input connected to the transistor source, the whole assembly forming a second connection. According to the invention, the control device also comprises: at least one protecting device including at least one switching element (T1) which is inserted in series in said first connection of the amplifying device (15) to prevent a leakage current from passing through said first connection, and a device generating a regulating voltage to control the transistor, said generating device being configured such that there exists the same number of semiconductor junctions between the first and second connections. The invention is in particular applicable on battery charging devices.
(FR)L'invention concerne un dispositif de commande d'un transistor, ledit dispositif comportant un dispositif d'amplification (15) pour contrôler la grille du transistor via un signal de commande de sortie, ledit dispositif comprenant une première entrée reliée au drain du transistor, le tout formant une première liaison, une deuxième entrée reliée à la source du transistor, le tout formant une deuxième liaison. Conformément à l'invention, le dispositif de commande comporte également : - au moins un dispositif de protection comprenant au moins un élément de commutation (T1 ) qui est inséré en série dans ladite première liaison du dispositif d'amplification (15) pour empêcher le passage d'un courant de fuite à travers ladite première liaison, et - un dispositif de génération d'une tension de régulation pour commander le transistor, ledit dispositif de génération étant configuré de sorte qu'il existe un même nombre N de jonctions semiconductrices entre la première et la deuxième liaisons. Application : notamment sur les dispositifs de chargement de batteries.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)