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1. (WO2007082200) SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING TRENCH CAPACITOR AND TRENCH RESISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/082200    International Application No.:    PCT/US2007/060266
Publication Date: 19.07.2007 International Filing Date: 09.01.2007
IPC:
H01L 29/94 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US) (For All Designated States Except US).
CHENG, Kangguo [CN/US]; (US) (For US Only).
RASSEL, Robert, M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHENG, Kangguo; (US).
RASSEL, Robert, M.; (US)
Agent: LI, Todd, M., C.; IBM CORPORATION, 2070 ROUTE 52, Bldg. 321/zip 482, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
11/306,709 09.01.2006 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING TRENCH CAPACITOR AND TRENCH RESISTOR
(FR) STRUCTURE À SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UN CONDENSATEUR DE TRANCHÉE ET UNE RÉSISTANCE DE TRANCHÉE
Abstract: front page image
(EN)A structure and a method for fabrication of the structure use a capacitor trench (CT) for a trench capacitor and a resistor trench (RT) for a trench resistor. The structure is typically a semiconductor structure. In a first instance, the capacitor trench (CT) has a linewidth dimension (LWC) narrower than the resistor trench (RT). The trench linewidth difference provides an efficient method for fabricating the trench capacitor and the trench resistor. In a second instance, the trench resistor comprises a conductor material (18a, 18b) at a periphery of the resistor trench (RT) and a resistor material (20) at a central portion of the resistor trench (RT).
(FR)L'invention concerne une structure et un procédé de fabrication de cette structure utilisant une tranchée de condensateur (CT) destinée à un condensateur de tranchée et une tranchée de résistance (RT) destinée à une résistance de tranchée. La structure consiste généralement en une structure à semiconducteur. Dans un premier mode de réalisation, la tranchée de condensateur (CT) possède une dimension de largeur de ligne (LWC) plus étroite que celle de la tranchée de résistance (RT). La différence de largeur de ligne de tranchée offre un procédé efficace de fabrication du condensateur de tranchée et de la résistance de tranchée. Dans une second mode de réalisation, la résistance de tranchée comprend un matériau conducteur (18a, 18b) au niveau du pourtour de la tranchée de résistance (RT) et un matériau de résistance (20) au niveau d'une partie centrale de la tranchée de résistance (RT).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)