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Pub. No.: WO/2007/080803 International Application No.: PCT/JP2006/326194
Publication Date: 19.07.2007 International Filing Date: 28.12.2006
H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01)
Applicants: SUZUKI, Masa-aki; null (UsOnly)
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventors: SUZUKI, Masa-aki; null
Agent: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5306026, JP
Priority Data:
(JA) 半導体発光装置
Abstract: front page image
(EN) Disclosed is a semiconductor light-emitting device having improved light-extraction efficiency. Specifically disclosed is a semiconductor light-emitting device (1) comprising a semiconductor light-emitting element (10), a phosphor layer (11) which is so formed as to cover at least a part of the semiconductor light-emitting element (10), and an outer layer (12) which is so formed as to cover at least a part of the phosphor layer (11). The phosphor layer (11) contains a binder (17) and a phosphor (18) dispersed in the binder (17), and the outer layer (12) contains a porous material (19). Consequently, the semiconductor light-emitting device (1) is improved in light-extraction efficiency.
(FR) La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs, présentant une efficacité d'extraction de lumière améliorée. Elle concerne plus spécifiquement un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (1) comprenant un élément électroluminescent à semi-conducteurs (10), une couche de phosphore (11) formée de manière à couvrir au moins une partie de l'élément électroluminescent à semi-conducteurs (10) et une couche extérieure (12) formée de manière à couvrir au moins une partie de la couche de phosphore (11). La couche de phosphore (11) contient un liant (17) et du phosphore (18) dispersé dans le liant (17) ; la couche externe (12) contient un matériau poreux (19). Par conséquent, le dispositif électroluminescent à semi-conducteurs (1) est amélioré en termes d'efficacité d'extraction de la lumière.
(JA)  光取り出し効率を向上させることができる半導体発光装置を提供する。  半導体発光素子(10)と、半導体発光素子(10)の少なくとも一部を覆って形成された蛍光体層(11)と、蛍光体層(11)の少なくとも一部を覆って形成された外層(12)とを含み、蛍光体層(11)は、バインダー(17)とバインダー(17)に分散された蛍光体(18)とを含み、外層(12)は、多孔質材(19)を含む半導体発光装置(1)とする。これにより、光取り出し効率を向上させることができる半導体発光装置を提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)