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1. (WO2007080531) INTEGRATED CIRCUIT INDUCTOR WITH SMALL FLOATING METAL STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/080531 International Application No.: PCT/IB2007/050040
Publication Date: 19.07.2007 International Filing Date: 05.01.2007
IPC:
H01L 23/64 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
Applicants: TIEMEIJER, Lukas, F.[NL/NL]; NL (UsOnly)
NXP B.V.[NL/NL]; High Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven, NL (AllExceptUS)
Inventors: TIEMEIJER, Lukas, F.; NL
Agent: PENNINGS, Johannes, F., M.; c/o NXP Semiconductors IP Department HTC 60 1.31 Prof Holstlaan 4 NL-5656 AG Eindhoven, NL
Priority Data:
06100157.409.01.2006EP
Title (EN) INTEGRATED CIRCUIT INDUCTOR WITH SMALL FLOATING METAL STRUCTURES
(FR) INDUCTEUR DE CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT DE PETITES STRUCTURES METALLIQUES FLOTTANTES
Abstract: front page image
(EN) The present invention relates to an integrated circuit inductor structure comprising a plurality of dummy metal fill patterns as required in modern integrated circuit processes, an inductive element, a substrate and an optional patterned ground shield. Starting from our physics-based wide-band predictive compact model, a higher quality factor will be achieved when the size of the dummy metal fill patterns and the width of the patterned ground shield will be chosen as inversely proportional to the increasing operating frequency of the inductive element. The performance of such a circuit inductor can be further improved by using a high resistivity substrate as well as by locally blocking any well implant located on top of the substrate. Additionally, a higher resonant frequency can be obtained while disposing the dummy metal fill patterns within a predetermined distance of at least three times a distance to the patterned ground shield away from the inductive element.
(FR) L'invention concerne une structure d'inducteur de circuit intégré qui comprend une pluralité de motifs de remplissage métallique fictifs tels que requis dans les procédés modernes de fabrication de circuits intégrés, un élément inductif, un substrat et un blindage de mise à la terre structuré facultatif. A partir de notre modèle compact prédictif à large bande basé sur la physique, on obtient un facteur de qualité supérieur lorsque la taille des motifs de remplissage métallique fictifs et la largeur du blindage choisies sont inversement proportionnelles à la fréquence de fonctionnement croissante de l'élément inductif. L'efficacité d'un tel inducteur de circuit peut être améliorée davantage par l'utilisation d'un substrat à résistivité élevée, et par le blocage local de tout implant de puits se situant sur la partie supérieure du substrat. De plus, on peut obtenir une fréquence de résonance supérieure en éloignant de l'élément inductif les motifs de remplissage métallique fictifs selon une distance prédéterminée, égale à au moins trois fois la distance au blindage de mise à la terre structuré.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)