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1. (WO2007079456) SUBSTRATE AND METHOD FOR MOUNTING SILICON DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/079456 International Application No.: PCT/US2007/000273
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 05.01.2007
IPC:
H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: HAUENSTEIN, Henning[DE/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION[US/US]; 233 Kansas Street El Segundo, California 90245, US (AllExceptUS)
Inventors: HAUENSTEIN, Henning; US
Agent: WEINER, Samuel, H. ; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen LLP 1180 Avenue of the Americas New York, New York 10036, US
Priority Data:
11/619,74204.01.2007US
60/756,73806.01.2006US
Title (EN) SUBSTRATE AND METHOD FOR MOUNTING SILICON DEVICE
(FR) SUBSTRAT ET PROCEDE DESTINES AU MONTAGE D'UN DISPOSITIF EN SILICIUM
Abstract: front page image
(EN) A substrate on which a silicon device is mounted includes a plurality of protrusions extending upward from a top surface of the substrate and a solder layer formed on the top of the substrate such that the plurality of protrusions extends through the solder layer and a top portion of each protrusion of the plurality of protrusions is stamped down to be level with a top surface of the solder layer such that the silicon device is supported on the plurality of protrusions when placed on the substrate. The protrusions are preferably gouged up from the surface of the substrate with a needle like tool. A stamper tool is used to stamp the protrusions down to their desired height such that they are properly positioned to support the silicon device. The solder layer may be a solder pre-form or may be a layer of solder paste.
(FR) Un substrat sur lequel est monté un dispositif en silicium, selon un mode de réalisation de la présente invention, comprend une pluralité d'éléments saillants qui s'étendent verticalement à partir d'une surface supérieure du substrat et une couche de soudure formée sur le substrat de façon que les éléments saillants traversent la couche de soudure. La partie supérieure de chaque élément saillant est aplatie de manière à être au même niveau que la surface supérieure de la couche de soudure, afin que le dispositif de silicium soit fixé aux éléments saillants lorsqu'il est placé sur le substrat. Les éléments saillants sont de préférence ajourées depuis la surface du substrat à l'aide d'un outil semblable à une aiguille. Un outil d'estampage est utilisé pour ramener les éléments saillants à une hauteur désirée, afin qu'ils soient correctement positionnés pour fixer le dispositif de silicium. La couche de soudure peut être une préforme de soudure ou une couche de pâte à souder. La couche de soudure est chauffée pour former une soudure liquide afin de fixer le substrat sur le dispositif de silicium. Cependant, les éléments saillants fixent le dispositif de silicium et évitent que ce dernier ne se déplace lorsque la soudure est à l'état liquide.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)