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1. (WO2007079124) ALTERNATE ROW-BASED READING AND WRITING FOR NON-VOLATILE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/079124 International Application No.: PCT/US2006/049381
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 27.12.2006
IPC:
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01)
Applicants: GUTERMAN, Daniel, C.[US/US]; US (UsOnly)
SANDISK CORPORATION[US/US]; 601 Mccarthy Boulevard Milpitas, CA 95035, US (AllExceptUS)
Inventors: GUTERMAN, Daniel, C.; US
Agent: MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, Llp 575 Market Street, Suite 2500 San Francisco, CA 94105, US
Priority Data:
11/321,25929.12.2005US
11/321,34629.12.2005US
Title (EN) ALTERNATE ROW-BASED READING AND WRITING FOR NON-VOLATILE MEMORY
(FR) LECTURE ET ECRITURE PAR RANGEE ALTERNEE POUR MEMOIRE NON VOLATILE
Abstract: front page image
(EN) A set of storage elements is programmed beginning with a word line WLn adjacent a select gate line for the set. After programming the first word line, the next word line WLn+ 1 adjacent to the first word line is skipped and the next word line WLn+2 adjacent to WLn+ 1 is programmed. WLn+ 1 is then programmed. Programming continues according to the sequence {WLn+4, WLn+3, WLn+6, WLn+5, ... } until all but the last word line for the set have been programmed. The last word line is then programmed. By programming in this manner, some of the word lines of the set (WLn+1, WLn+3, etc.) have no subsequently programmed neighboring word lines. The memory cells of these word lines will not experience any floating gate to floating gate coupling threshold voltage shift impact due to subsequently programmed neighboring memory cells. The word lines having no subsequently programmed neighbors are read without using offsets or compensations based on neighboring memory cells. The other word lines are read using compensations based on data states within both subsequently programmed neighboring word lines.
(FR) Un ensemble d'éléments de stockage est programmé commençant par un canal mot Wln adjacent à un canal porte de sélection de l'ensemble. Après programmation du premier canal mot, le canal mot suivant WLn+ 1 adjacent au premier canal mot est sauté et le canal mot suivant WLn+2 adjacent au canal mot WLn+ 1 est programmé. WLn+ 1 est ensuite programmé. La programmation continue selon la séquence {WLn+4, WLn+3, WLn+6, WLn+5, ... } jusqu'à ce que tous les canaux mots, à l'exception du dernier canal mot de l'ensemble, aient été programmés. Le dernier canal mot est ensuite programmé. Cette manière de programmer permet de programmer certains canaux mots de l'ensemble (WLn+1, WLn+3, etc.) sans qu'ils aient de canaux mots avoisinants programmés subséquemment. Les cellules mémoire de ces canaux mots ne connaîtront aucune grille flottante sur un impact de décalage de tension de seuil de couplage à une grille flottant provoqué par des cellules mémoire avoisinantes programmées subséquemment. Les canaux mots n'ayant pas de voisins programmés subséquemment sont lus sans qu'il soit nécessaire d'utiliser des décalages ou des compensations basées sur des cellules mémoires avoisinantes. On lit les autres canaux mots en utilisant des compensations basées sur des états de données à l'intérieur de canaux mots avoisinants programmés subséquemment.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)