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1. (WO2007079062) CONTINUED VERIFICATION IN NON-VOLATILE MEMORY WRITE OPERATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/079062    International Application No.:    PCT/US2006/049220
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 27.12.2006
IPC:
G11C 16/34 (2006.01)
Applicants: SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (For All Designated States Except US).
CHEN, Jian [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: CHEN, Jian; (US)
Agent: MAGEN, Burt; VIERRA MAGEN MARCUS & DENIRO, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Priority Data:
11/322,011 29.12.2005 US
11/322,001 29.12.2005 US
Title (EN) CONTINUED VERIFICATION IN NON-VOLATILE MEMORY WRITE OPERATIONS
(FR) VERIFICATION CONTINUE RELATIVE AUX OPERATIONS D'ECRITURE EN MEMOIRE NON VOLATILE
Abstract: front page image
(EN)Temporary lock-out is provided while programming a group of non¬ volatile memory cells to more accurately program the memory cells. After successfully verifying that the threshold voltage of a memory cell has reached the level for its intended state, it is possible that the threshold voltage will subsequently decrease to below the verify level during additional iterations of the programming process needed to complete programming of other memory cells of the group. Memory cells are monitored (e.g., after each iteration) to determine if they fall below the verify level after previously verifying that the target threshold voltage has been reached. Cells that pass verification and then subsequently fail verification can be subjected to further programming. For example, the bit line voltage for the memory cell of interest may be set to a moderately high voltage to slow down or reduce the amount of programming accomplished by each subsequent programming pulse. In this manner, a memory cell that falls out of verification can be placed back in the normal programming flow without risking over-programming of the cell.
(FR)L'invention concerne la possibilité d'établir un blocage temporaire pendant la programmation d'un groupe de cellules de mémoire non volatile permettant une programmation plus précise des cellules de mémoire. Lorsqu'on a vérifié que la tension de seuil d'une cellule de mémoire avait atteint le niveau de son état prévu, il se peut que ladite tension de seuil diminue ensuite et passe sous le niveau vérifié lors d'itérations additionnelles du processus de programmation requis pour l'achèvement de la programmation des cellules de mémoire du groupe. On surveille les cellules de mémoire (par exemple, après chaque itération) pour déterminer si elles tombent sous le niveau vérifié, après avoir d'abord vérifié que la tension de seuil cible avait été atteinte. Les cellules pour lesquelles la vérification aboutit initialement et pour lesquelles la vérification échoue ensuite peuvent être programmées plus avant. Par exemple, la tension de ligne binaire de la cellule de mémoire visée peut être fixée à un niveau modérément élevé, ce qui permet de ralentir ou de réduire la programmation effectuée par chaque impulsion de programmation ultérieure. Ainsi, une cellule de mémoire qui échappe à la vérification peut être replacée dans le flux de programmation normal, sans risque de surprogrammation de la cellule.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)