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Pub. No.:    WO/2007/077850    International Application No.:    PCT/JP2006/325990
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 20.12.2006
G06K 19/07 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
TOKUNAGA, Hajime [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TOKUNAGA, Hajime; (JP)
Priority Data:
2005-376697 27.12.2005 JP
Abstract: front page image
(EN)To provide a wireless identification semiconductor device provided with a display function, which is capable of effectively utilizing electric power supplied by an electromagnetic wave. The following are included: an antenna; a power source generating circuit electrically connected to the antenna; an IC chip circuit and a display element electrically connected to the power source generating circuit; a first TFT provided in the power source generating circuit; a second TFT provided in the IC chip circuit; a third TFT provided in the display element; an insulating film provided to cover the first to third TFTs; a first source electrode and a first drain electrode, a second source electrode and a second drain electrode, and a third source electrode and a third drain electrode which are formed over the insulating film; and a pixel electrode electrically connected to the third source electrode or the third drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode is electrically connected to the antenna.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur d'identification sans fil muni d'une fonction d'affichage, capable d'utiliser efficacement l'énergie électrique fournie par une onde électromagnétique. Il comprend : - une antenne, - un circuit de génération de source électrique électriquement raccordé à l'antenne, - un circuit de puce CI et un écran électriquement raccordé au circuit de génération de la source électrique, - un premier TFT prévu dans le circuit de génération de source électrique, - un deuxième TFT prévu dans le circuit de puce CI, - un troisième TFT prévu dans l'écran, - un film isolant prévu pour couvrir du premier au troisième TFT, - une première électrode source et une première électrode de drain, une deuxième électrode source et une deuxième électrode de drain, ainsi qu'une troisième électrode source et une troisième électrode de drain formées sur le film isolant, - une électrode de pixel électriquement raccordée à la troisième électrode source ou à la troisième électrode de drain. La première électrode source ou la première électrode de drain est électriquement raccordée à l'antenne.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)