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1. (WO2007077752) SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING MEMBER, FABRICATION METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/077752    International Application No.:    PCT/JP2006/325523
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 21.12.2006
IPC:
H01L 23/10 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (For All Designated States Except US).
A. L. M. T. CORP. [JP/JP]; 11-11, Shiba 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050014 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAJIMA, Shingo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGAWARA, Jun [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MIZOGUCHI, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAKAGI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HIGAKI, Kenjiro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAJIMA, Shingo; (JP).
SUGAWARA, Jun; (JP).
MIZOGUCHI, Akira; (JP).
TAKAGI, Daisuke; (JP).
HIGAKI, Kenjiro; (JP)
Agent: JODAI, Tetsuji; 601 Newlife Koraibashi 3-32, Higashikoraibashi Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400039 (JP)
Priority Data:
2005-373953 27.12.2005 JP
2006-040334 17.02.2006 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING MEMBER, FABRICATION METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ARTICLE DE MONTAGE D'ELEMENT A SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCEDE DE FABRICATION ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体素子搭載部材、その製造方法、及び半導体装置
Abstract: front page image
(EN)Provided is a semiconductor element mounting member including a substrate, a frame surrounding a semiconductor element mounting portion, a bonding layer for bonding the frame on the upper surface of the substrate, and a lead terminal passing through the bonding layer. The bonding layer is formed by a hardened product of a heat-hardening resin containing epoxy resin, hardening agent, and inorganic filler. The hardened product has glass transfer temperature 130 degrees C or above. The end surface of the bonding layer and the lead terminal define a contact angle θ1, θ2 which are smaller than 90 degrees. The end surface of the bonding layer and the substrate define a contact angleθ3 which is smaller than 90 degrees. Provided also are a method for fabricating the semiconductor element mounting member and a semiconductor device obtained by mounting a semiconductor element on the semiconductor element mounting member.
(FR)La présente invention concerne un article de montage d'élément à semi-conducteurs comprenant un substrat, un cadre entourant une partie d'élément à semi-conducteurs, une couche de liage pour lier le cadre sur la surface supérieure du substrat et une borne de fil passant par la couche de liage. La couche de liage est formée par un produit durci d'une résine durcissant à la chaleur contenant de la résine d'époxy, un agent durcissant et une matière de remplissage inorganique. Le produit durci possède une température de transfert de verre de 130 °C ou plus. La surface d'extrémité de la couche de liage et la borne de fil définit un angle de contact (θ1, θ2) inférieur à 90 degrés. La surface d'extrémité de la couche de liage et le substrat définissent un angle de contact (θ3) inférieur à 90 degrés. L'invention concerne également un procédé pour fabriquer l'article de montage d'élément à semi-conducteurs et un dispositif à semi-conducteurs obtenu en montant un élément à semi-conducteurs sur l'article de montage de l'élément à semi-conducteurs.
(JA)基板、半導体素子搭載部を取り囲む形状からなる枠体、基板上面に枠体を接合する接合層、および接合層を貫通するリード端子を含み、接合層が、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填剤を含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、該硬化物のガラス転移温度が130°C以上であり、接合層の端面とリード端子となす接触角θ1、θ2、及び接合層の端面と基板となす接触角θ3、のいずれもが90°未満であることを特徴とする半導体素子搭載部材、その製造方法、およびこの半導体素子搭載部材に半導体素子を搭載した半導体装置。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)