WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
PATENTSCOPE will be unavailable a few hours for maintenance reason on Saturday 18.08.2018 at 9:00 AM CEST
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2007077286) SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR DETECTING VISIBLE LIGHT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/077286 International Application No.: PCT/FI2006/000009
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 05.01.2006
IPC:
H01L 31/109 (2006.01) ,H01L 27/148 (2006.01)
Applicants: AUROLA, Artto[FI/FI]; FI
Inventors: AUROLA, Artto; FI
Agent: BERGGREN OY AB; P.O. Box 16 (Annankatu 42 C) FI-00101 HELSINKI, FI
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR DETECTING VISIBLE LIGHT
(FR) DETECTEUR DE RAYONNEMENTS DE SEMI-CONDUCTEURS DETECTANT LA LUMIERE VISIBLE
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor radiation detector comprising a bulk layer of semiconductor material, and on the first surface of the bulk layer in the following order: a modified internal gate layer of semiconductor of second conductivity type, a barrier layer of semiconductor of first conductivity type and pixel dopings of semiconductor of the second conductivity type, adapted to be coupled to at least one pixel voltage in order to create pixels corresponding to pixel dopings, characterised in that the device comprises a first conductivity type first contact, said pixel voltage being defined as a potential difference between the pixel doping and the first contact, in that the bulk layer is of first type, and in that it does not comprise, on a second surface of the bulk layer opposite to the first surface, a conductive backside layer that transports secondary charges outside the active area of the device and that functions as the radiation entry window.
(FR) L'invention concerne un dispositif de détection de rayonnements de semi-conducteurs, comprenant une couche substrat d'un matériau à semi-conducteurs, et sur la première surface de la couche substrat, dans l'ordre suivant, une couche gâchette interne modifiée d'un semi-conducteur d'un second type de conductivité, une couche barrière d'un semi-conducteur d'un premier type de conductivité et des dopages de pixels d'un semi-conducteur d'un second type de conductivité, conçus pour être couplés à au moins une tension de pixel pour créer des pixels correspondant aux dopages de pixels, se caractérisant en ce que le dispositif comprend un premier contact d'un premier type de conductivité, ladite tension de pixel étant définie comme une différence de potentiel entre le dopage de pixel et le premier contact. L'invention se caractérise également en ce que la couche substrat est d'un premier type de conductivité, et en ce qu'elle ne comprend pas, sur une seconde surface de la couche substrat opposée à la première surface, de couche arrière conductrice transportant des charges secondaires à l'extérieur de la zone active du dispositif et servant de fenêtre d'entrée des rayonnements.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)