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1. (WO2007077171) METHOD AND DEVICE FOR CONVERTING METALLIC PRECURSORS INTO CHALCOPYRITE LAYERS OF CIGSS SOLAR CELLS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/077171    International Application No.:    PCT/EP2006/070178
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 22.12.2006
IPC:
H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/0336 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBH [DE/DE]; Barbara-McClintock-Strasse 11, 12489 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
VON KLOPMANN, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEYER, Nilolaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUCK, Ilka [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMID, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MEEDER, Alexander [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: VON KLOPMANN, Christian; (DE).
MEYER, Nilolaus; (DE).
LUCK, Ilka; (DE).
SCHMID, Dieter; (DE).
MEEDER, Alexander; (DE)
Agent: HENGELHAUPT, Jürgen, D.; Wallstrasse 58/59, 10179 Berlin (DE)
Priority Data:
10 2005 062 977.6 28.12.2005 DE
Title (DE) VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUR UMSETZUNG METALLISCHER VORLÄUFERSCHICHTEN ZU CHALKOPYRITSCHICHTEN VON CIGSS-SOLARZELLEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR CONVERTING METALLIC PRECURSORS INTO CHALCOPYRITE LAYERS OF CIGSS SOLAR CELLS
(FR) PROCEDE ET INSTALLATION DE TRANSFORMATION DE COUCHES DE PRECURSEUR METALLIQUE EN COUCHES DE CHALCOPYRITE DE CELLULES SOLAIRES CIGSS
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur Umsetzung metallischer Vorlauferschichten (Precursor) mit Schwefel und/oder Selen zu Chalkopyritschichten von CIGSS- Solarzellen in einer Reaktionskammer eines RTP-Of ens. Insbesondere besteht das Ziel in der Herstellung von Dunnschicht-Solarmodulen. Vorgeschlagen wird, dass ein mit dem Precursor beschichtetes Substrat sowie eine für die Reaktion ausreichende Menge Schwefel und/oder Selen in eine dichtend verschließbare, mit mindestens einem von außerhalb der Reaktionskammer steuerbaren Auslassventil versehene Reaktionsbox eingelegt wird, die ihrerseits in den Reaktionsraum des RTP-Ofens eingebracht wird, der Reaktionsraum evakuiert wird, die Reaktionsbox mit dem Substrat im Reaktionsraum auf eine vorgesehene Temperatur aufgeheizt und über eine bestimmte Prozesszeit auf dieser Temperatur gehalten wird, wobei wahrend der Prozesszeit der Druck in der Reaktionsbox gemessen und über das mindestens eine Auslassventil gesteuert wird.
(EN)The invention relates to a method and a device for reacting metallic precursors with sulfur and/or selenium to chalcopyrite layers of CIGSS solar cells in a reaction chamber of an RTP furnace. The aim of the invention is to produce thin-layer solar modules. Said aim is achieved by introducing a substrate coated with the precursor as well as an amount of sulfur and/or selenium that is sufficient to carry out the reaction into a sealingly closable reaction box which is provided with at least one discharge valve that can be controlled from outside the reaction chamber. The reaction box is introduced into the reaction chamber of the RTP furnace, the reaction chamber is evacuated, the reaction box is heated to a predetermined temperature in the reaction chamber along with the substrate and is maintained at said temperature for a certain process time, the pressure in the reaction box being measured and being controlled via the at least one discharge valve during the process time.
(FR)L'invention concerne un procédé et une installation de transformation de couches de précurseur métallique contenant du soufre et/ou du sélénium en couches de chalcopyrite de cellules solaires CIGSS dans une chambre réactionnelle d'un four de recuit rapide RTP. L'invention vise en particulier à réaliser des modules solaires à couches fines. Selon l'invention, un substrat enduit du précurseur et une quantité de soufre et/ou de sélénium suffisante pour la réaction sont mis dans une enceinte réactionnelle pouvant être fermée de manière étanche et dotée d'au moins une soupape de sortie réglable de l'extérieur de la chambre réactionnelle, l'enceinte réactionnelle est placée dans l'espace réactionnel du four de recuit rapide RTP, le vide est fait dans l'espace réactionnel, l'enceinte réactionnelle contenant le substrat dans l'espace réactionnel est chauffée à une température définie et maintenue à cette température pendant une durée déterminée de traitement, durant laquelle la pression dans l'enceinte réactionnelle est mesurée et régulée au moyen de la soupape de sortie.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)