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1. (WO2007076849) MONOLITHIC CERAMIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2007/076849    International Application No.:    PCT/DE2007/000002
Publication Date: 12.07.2007 International Filing Date: 03.01.2007
IPC:
H05K 3/46 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01)
Applicants: EPCOS AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BLOCK, Christian [DE/AT]; (AT) (For US Only).
DUDESEK, Pavol [SK/AT]; (AT) (For US Only).
FEICHTINGER, Thomas [AT/AT]; (AT) (For US Only).
HOFFMANN, Christian [DE/AT]; (AT) (For US Only).
PUDMICH, Günter [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: BLOCK, Christian; (AT).
DUDESEK, Pavol; (AT).
FEICHTINGER, Thomas; (AT).
HOFFMANN, Christian; (AT).
PUDMICH, Günter; (AT)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55, 80339 München (DE)
Priority Data:
102006000935.5 05.01.2006 DE
Title (DE) MONOLITHISCHES KERAMISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) MONOLITHIC CERAMIC COMPONENT AND PRODUCTION METHOD
(FR) COMPOSANT CERAMIQUE MONOLITHIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein verbessertes monolithisches keramisches Bauelement mit Mehrlagenaufbau vorgeschlagen, das bei der Herstellung einen nur minimalen lateralen Schwund aufweist. Dies wird durch einen Mehrlagenaufbau erreicht, der neben einer Funktionsschicht (F1, F2) aus einer Funktionskeramik zumindest eine Spannschicht (S) aufweist, die ein dielektrisches rekristallisiertes Material umfasst. Die Phasenumwandlungstemperatur der Spannschicht liegt unterhalb der Sintertemperatur und führt zu einem rekristallisierten Gefüge, das während der Sintertemperatur der Funktionsschicht im festen Zustand verbleibt und den Mehrlagenaufbau lateral verspannt, sodass ein Sinterschwund nur in Richtung der Z-Achse vertikal zu den Schichtebenen auftreten kann.
(EN)An improved monolithic ceramic component having a multilayer construction is proposed, which has only minimal lateral shrinkage during production. This is achieved by means of a multilayer construction having, besides a functional layer (F1, F2) composed of a functional ceramic, at least one strained layer (S) comprising a dielectric recrystallized material. The phase transition temperature of the strained layer lies below the sintering temperature and leads to a recrystallized microstructure which remains in the solid state during the sintering temperature of the functional layer and laterally strains the multilayer construction, such that a sintering shrinkage can occur only in the direction of the Z axis vertically with respect to the layer planes.
(FR)La présente invention concerne un composant céramique monolithique amélioré à structure multicouche qui ne présente lors de la fabrication qu'une atrophie latérale minimale. A cet effet, la structure multicouche comporte, en plus d'une couche fonctionnelle (F1, F2) en céramique fonctionnelle, au moins une couche de serrage (S) qui comprend un matériau diélectrique recristallisé. La température de changement de phase de la couche de serrage est inférieure à la température de frittage et génère une structure recristallisée qui demeure à l'état solide à la température de frittage de la couche fonctionnelle et resserre latéralement la structure multicouche, de sorte que l'atrophie de frittage ne peut se produire que dans la direction de l'axe Z verticalement par rapport aux plans des couches.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)