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1. (WO2007076451) BODY EFFECT SENSING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORIES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2007/076451 International Application No.: PCT/US2006/062513
Publication Date: 05.07.2007 International Filing Date: 21.12.2006
IPC:
G11C 11/56 (2006.01)
Applicants: MOKHLESI, Nima[IR/US]; US (UsOnly)
LUTZE, Jeffrey W.[US/US]; US (UsOnly)
SANDISK CORPORATION[US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, California 95035, US (AllExceptUS)
Inventors: MOKHLESI, Nima; US
LUTZE, Jeffrey W.; US
Agent: DAVIS WRIGHT TREMAINE LLP; 505 Montgomery Street Suite 800 San Francisco, CA 94111, US
Priority Data:
11/320,91728.12.2005US
11/321,99628.12.2005US
Title (EN) BODY EFFECT SENSING METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORIES
(FR) TECHNIQUES DE DETECTION DE SUBSTITUTION POUR MEMOIRES REMANENTES
Abstract: front page image
(EN) The present invention presents a scheme for sensing memory cells. Selected memory cells are discharged through their channels to ground and then have a voltage level placed on the traditional source and another voltage level placed on the control gate, and allowing the cell bit line to charge up. The bit line of the memory cell will then charge up until the bit line voltage becomes sufficiently high to shut off any further cell conduction. The rise of the bit line voltage will occur at a rate and to a level dependent upon the data state of the cell, and the cell will then shut off when the bit line reaches a high enough level such that the body effect affected memory cell threshold is reached, at which point the current essentially shuts off. A particular embodiment performs multiple such sensing sub-operations, each with a different control gate voltage, but with multiple states being sensed in each operation by charging the previously discharged cells up through their source.
(FR) La présente invention concerne un programme de détection de cellules de mémoire. Certaines cellules de mémoire sont déchargées à la terre par leurs canaux, puis la ligne de bits des cellules peut se charger après établissement d'un niveau de tension sur la source traditionnelle et d'un autre niveau de tension sur la grille de commande. La ligne de bits de la cellule de mémoire peut alors se charger alors jusqu'à ce que son niveau de tension soit suffisamment élevé pour interrompre la conduction de la mémoire. L'augmentation de la tension de la ligne de bits se produit à un rythme et à un niveau dépendant de l'état de données de la cellule, cette dernière se coupant lorsque la ligne de bits atteint un niveau suffisamment élevé pour que soit atteint un seuil de cellule de mémoire affectée par l'effet de substrat, seuil où le courant se coupe pratiquement. Dans un mode de réalisation particulier, des sous-opérations multiples de détection se déroulent, chacune avec un tension de commande de grille différente, mais avec détection d'états multiples à chaque opération avec charge par leur source de cellules précédemment déchargées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)